[發明專利]在基材層上形成濺鍍層的方法、觸控基板的制備方法

在審

• 申請號: 201810082422.6
• 申請日: 2018-01-29
• 公開（公告）號: CN108179388A
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發明（設計）人: 鄒富偉;王勝男;張由婷;張明;郭總杰
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/16
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

1.一種在基材層上形成濺鍍層的方法，其特征在于，包括以下制備步驟：

在濺鍍腔室內，對基材層的第一面進行至少兩次濺射鍍膜后得到由至少兩層濺鍍膜構成的濺鍍層；

其中，至少部分相鄰兩次濺射鍍膜的步驟之間包括改變基材層的第一面與濺鍍腔室的相對位置的步驟。

2.根據權利要求1所述的在基材層上形成濺鍍層的方法，其特征在于，所述濺鍍層為黑化層。

3.根據權利要求1所述的在基材層上形成濺鍍層的方法，其特征在于，所述濺鍍腔室包括用于供基材層進入的閥門，所述改變基材層的第一面與濺鍍腔室的相對位置的包括：

改變基材層的第一面與閥門的相對位置。

4.根據權利要求3所述的在基材層上形成濺鍍層的方法，其特征在于，所述改變基材層的第一面與閥門的相對位置包括：

使改變基材層的第一面相對于其中垂線旋轉。

5.根據權利要求3所述的在基材層上形成濺鍍層的方法，其特征在于，所述對基材層的第一面進行至少兩次濺射鍍膜包括：對基材層進行兩次濺射鍍膜，分別為第一次濺射鍍膜、第二次濺射鍍膜，其中，第一次濺射鍍膜得到第一濺鍍膜，第二次濺射鍍膜得到第二濺鍍膜；所述改變基材層的第一面與濺鍍腔室的相對位置包括：

將濺鍍有第一濺鍍膜的基材層在平面內旋轉，以使第一濺射鍍膜靠近濺鍍腔室閥門的一側旋轉至遠離濺鍍腔室閥門的一側。

6.根據權利要求5所述的在基材層上形成濺鍍層的方法，其特征在于，將基材層送進濺鍍腔室前還包括將基材層加熱至80-120℃的步驟；所述鍍膜功率為10～16kw，所述第一濺鍍膜的厚度范圍為300埃-600埃，所述第二濺鍍膜的厚度范圍為300埃-600埃。

7.根據權利要求1所述的在基材層上形成濺鍍層的方法，其特征在于，所述濺鍍腔室內通有濺鍍環境氣體，所述濺鍍環境氣體包括惰性氣體，所述惰性氣體流量為100～200sccm；所述濺鍍腔室內通有濺鍍反應氣體，所述濺鍍反應氣體包括氧氣，所述氧氣流量為100～110sccm。

8.根據權利要求7所述的在基材層上形成濺鍍層的方法，其特征在于，所述濺鍍反應氣體還包括氮氣，所述氮氣流量為8～12sccm。

9.一種具有濺鍍層的基材層，其特征在于，所述濺鍍層由權利要求1-8任一項所述的方法制成。

10.一種觸控基板的制備方法，其特征在于，包括以下制備步驟：

采用權利要求1-8任一項所述的方法在基材層上形成濺鍍層作為黑化層；

在黑化層上形成金屬網觸控電極。