[發明專利]噴嘴清洗裝置和晶圓清洗設備

在審

• 申請號: 201810081980.0
• 申請日: 2018-01-29
• 公開（公告）號: CN108453084A
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發明（設計）人: 王飛亞;張文福;高英哲
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;B08B13/00;H01L21/67
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;董琳

本發明涉及噴頭清洗裝置和晶圓清洗設備，其中噴嘴清洗裝置包括：清洗槽；位于所述清洗槽壁上的至少一個第一輸入口，所述第一輸入口與第一管道連通，用于連接至清洗溶液源；位于清洗槽底部的至少一個輸出口，所述輸出口與第三管道連通，用于排出所述清洗槽內廢液。所述噴頭清洗裝置能夠對噴嘴表面進行清洗，去除化學結晶等污染，提高后續對晶圓進行清洗的效率。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種噴嘴清洗裝置和晶圓清洗裝置。

背景技術

隨著晶圓特征尺寸的逐漸縮小，對晶圓制造濕法清洗工藝要求越來越高，濕法清洗通常采用化學藥液和去離子水等一系列工藝步驟，去除晶圓表面上的沾污，包括：顆粒物、有機殘留、金屬污染，以及自然氧化層等。隨著對晶圓表面潔凈度的要求提高，濕法清洗正在由傳統的槽式清洗向單片式清洗轉變。

濕法清洗中常常采用各種酸性溶液，在清洗過程中，尤其是溫度較高的條件下，酸性溶液揮發產生酸霧，酸霧易于在噴嘴處凝結形成結晶，勢必會再次掉落在晶圓上，形成顆粒污染，降低晶圓良率。

雖然，現有的噴嘴內部會進行周期性的預沖洗，但是也只能排掉噴嘴管道內部的廢液，而不能達到對管道外部結晶的清洗。

因此，如何實現對噴嘴管道外部的清洗，是目前亟待解決的問題。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是，提供一種噴嘴清洗裝置和一種晶圓清洗設備，實現對噴嘴管道外部的清洗。

為了解決上述問題，本發明提供了一種噴嘴清洗裝置，包括：清洗槽；位于所述清洗槽壁上的至少一個第一輸入口，所述第一輸入口與第一管道連通，用于連接至清洗溶液源；位于清洗槽底部的至少一個輸出口，所述輸出口與第三管道連通，用于排出所述清洗槽內廢液。

可選的，還包括：位于所述清洗槽壁上的至少一個第二輸入口，所述第二輸入口與第二管道連通，用于連接至干燥氣體源。

可選的，所述第一輸入口位于所述第二輸入口下方。

可選的，所述第一管道上設置有第一控制閥，所述第二管道上設置有第二控制閥。

可選的，還包括控制器，用于周期性的控制所述第一控制閥、第二控制閥的開啟和關閉狀態以及控制所述第一管道內的液體流速以及第二管道內的氣體流速。

可選的，所述清洗溶液為去離子水。

可選的，所述干燥氣體為N₂、He、Ar以及Ne中的至少一種。

為解決上述問題，本發明的具體實施方式還提供一種晶圓清洗設備，包括：如上所述的噴嘴清洗裝置；噴嘴，用于噴灑晶圓清洗溶液。

可選的，還包括驅動裝置，所述驅動裝置用于將所述噴嘴移動至所述清洗槽內。

可選的，所述驅動裝置包括：計時模塊和升降模塊；所述計時模塊用于設置所述驅動裝置將噴嘴移動至所述清洗槽內的周期；所述升降模塊用于控制所述噴嘴在所述清洗槽內進行升降運動。

本發明的噴嘴清洗裝置通過清洗溶液對噴嘴表面進行清洗，消除噴嘴表面的化學結晶，從而在噴嘴對晶圓噴灑晶圓清洗溶液進行清洗過程中，提高對晶圓的清洗效果。并且，所述噴嘴清洗裝置在對噴嘴進行清洗之后還可以通過干燥氣體對噴嘴進行干燥，避免清洗噴嘴的溶液對晶圓造成污染。

附圖說明

圖1為本發明一具體實施方式的噴嘴清洗裝置的結構示意圖；

圖2為本發明一具體實施方式的晶圓清洗設備的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明提供的噴嘴清洗裝置和晶圓清洗設備的具體實施方式做詳細說明。