[發明專利]一種晶種層誘導生長法的納米薄膜制作工藝

在審

• 申請號: 201810080141.7
• 申請日: 2018-01-27
• 公開（公告）號: CN110093659A
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 蘇州斯貝孚光電科技有限公司
• 主分類號: C30B7/14
• 分類號: C30B7/14;C30B7/10;C30B29/22;C30B29/66;C23C26/00;B82Y40/00
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本發明涉及了一種晶種層誘導生長法的納米薄膜制作工藝。以C12H28AlLiO3還原AgNO3為<10nm銀簇，并作為種子，Zn(NO3)26H2O和NaOH用堿溶解，合成的AgZnO絡合溶解物作為種子溶液；再以AgNO3和Zn(NO3）2·6H2O與PVP、活性劑配制成特定摩爾比溶液在18Ω水中溶解為前驅溶液，調整種子和前驅體的摩爾比例，調節溫度，利用陽離子表面活性劑十六烷基三甲基溴化胺在水溶液中形成的膠團為軟模板，使種子在膠團內長大成15?35nm顆粒；可轉移至不同基底上沉積薄膜。不僅簡化了生成過程降低了成本，還使Ag和ZnO基組合晶粒還使Ag遷移性得到解決，可大批量工業化生產，良率高。

技術領域

本發明涉及納米晶種種植長大成大顆粒制備技術領域，特別是涉及一種晶種層誘導生長法的納米薄膜制作工藝的方法，屬于溶液晶核培植技術。

背景技術

隨著科技的發展，金屬納米粒子尺寸、形貌可控，改善粒子分散性和穩定性，提高產率及純度已成為具有發展的方向，納米顆粒高活性表面修飾成為基質金屬的沉積晶粒生長強化性能的一種手段；

與現有技術相比，本發明的有益效果是：溶液法生長單晶主要包括低溫溶液、熱液、和高溫熱液等生長方法；

低溫溶液培育單晶優點：i) 溫度低，易于選擇儀器裝置;ii) 易生長均勻性良好的大塊單晶iii) 晶體外形完整可用肉眼觀察生長過程。缺點：i) 組分多，雜質不可避免；ii)生長速度慢，周期長；iii) 晶體易于潮解，應用的溫度范圍窄。

本方法是通過基底片化學溶液晶核培植法加還原法在（PEN）PET\PVA\PDMS\MCE基片表面沉積大小均勻金屬納米顆粒，可先行去除雜質，分布還原，沒有任何有毒物質排放，制作工藝簡單，成本低，常溫下可生成無需任何高溫燒結的基片納米薄膜，更延伸的優化基片功能改進質量，溶液法生長晶體是指首先將晶體的組成元素（溶質）溶解在另一溶液（溶劑）中，然后通過改變溫度、蒸汽壓等狀態參數，獲得過飽和溶液，最后使溶質從溶液中析出，形成晶體的方法。

利用X射線衍射儀（XRD-RIigakaku D/max2500）表征晶體結構形貌，掃描電鏡（SEN-JSM6700F）和透射鏡（TEM-JEOL-2015）觀察薄膜的形貌和斷面結構、載流子濃度、遷移率、電阻率Vian der paauw)法進行霍爾測量（accent hl5500）,還有UV-Vis-NIR紫外分光度計測量薄膜透過率（backman-Du8B Spectrophotometer）,波長范圍300-900nm,測試在室溫中，本工藝所得產品都具有長期的穩定性。

因此可以說本發明在穩定性、電性能和熔濕性方面都得到有效的驗證，采用西安交通大學的JDSGC-9CMS電導率測試臺可以測量產品的V_OC、I_SC、V_M、I_M和P_M等主要參數和伏安特性曲線；測試儀可用計算機設定多個分檔定電壓電流I_D和最大功率P_M,并用數碼管顯示測試分檔結果。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種晶種層誘導生長法的納米薄膜制作工藝。

為了實現上述目的，本發明的一種晶種層誘導生長法的納米薄膜制作工藝，其包括如下步驟：

S1、首先容器可用5-10％二氯甲硅烷的氯仿溶液浸泡數分鐘，用蒸餾水沖凈后干燥使用；

S2、以三叔丁氧基氫化鋁鋰C12H28AlLiO3還原AgNO3為<10nm的形貌各異的銀簇，在保護劑的作用下分散到分散劑中去形成溶液；