[發明專利]一種基于界面誘導生長的金屬納米結構陣列的制備方法

有效

• 申請號: 201810080098.4
• 申請日: 2018-01-27
• 公開（公告）號: CN108417475B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 左則文;聞壹兵
• 申請（專利權）人: 安徽師范大學
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于界面誘導生長的金屬納米結構陣列的制備方法，其特征在于：該方法利用界面誘導金屬成核與生長，所述方法按如下步驟進行：

（1）襯底清洗，將硅片或石英片襯底浸入濃硫酸與雙氧水的混合溶液中加熱至90℃，清洗60分鐘，再分別在丙酮、乙醇、去離子水中超聲清洗15分鐘后，用氮氣吹干；

（2）模板轉移，將PMMA支撐的超薄多孔氧化鋁模板置于清洗干凈的襯底表面，再在丙酮溶液中去除PMMA層，將超薄氧化鋁模板轉移到襯底上；

（3）粘附力調節，將表面帶有氧化鋁模板的襯底靜置數小時以使模板與襯底間的粘附力部分馳豫，或在150-250℃下退火以加強模板與襯底的粘附力，退火時間為2-5小時；

（4）金屬沉積，將表面帶有氧化鋁模板的襯底轉移至沉積腔內，模板朝向金屬源，采用物理氣相沉積方法沉積金屬；

（5）模板剝離，沉積完成后，利用膠帶將模板剝離，則在襯底表面留下金屬納米孔陣列或納米環陣列，取決于模板與襯底間的粘附力，粘附力馳豫的情形將得到有序納米孔陣列，粘附力加強的情形將得到有序納米環陣列。

2.根據權利要求1所述的基于界面誘導生長的金屬納米結構陣列的制備方法，其特征在于：所述步驟2中氧化鋁模板的厚度不大于1微米。

3.根據權利要求1所述的基于界面誘導生長的金屬納米結構陣列的制備方法，其特征在于：所述步驟4中物理氣相沉積方法包括熱蒸發、電子束蒸發和磁控濺射，金屬源包括金、銀、鋁、銅，沉積速率為0.1-0.3 nm/s，沉積厚度視所需結構尺寸而定。