[發明專利]有機半導體器件的封裝方法有效
| 申請號： | 201810080082.3 | 申請日： | 2018-01-27 |
| 公開（公告）號： | CN108336243B | 公開（公告）日： | 2020-02-18 |
| 發明（設計）人： | 蔡豐豪 | 申請（專利權）人： | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人： | 孫偉峰 |
| 地址： | 430070 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有機 半導體器件 封裝 方法 | ||
1.一種有機半導體器件的封裝方法，其特征在于，包括步驟：
提供一TFT基板；
在所述TFT基板上制作形成間隔設置的兩個光阻塊；
在所述TFT基板上制作形成有機半導體器件，所述有機半導體器件位于所述兩個光阻塊之間；
在所述TFT基板、兩個光阻塊、有機半導體器件上制作形成封裝層；
從所述封裝層的兩端分別進行切割，以將所述兩個光阻塊的一部分切除；
將所述兩個光阻塊的剩下的部分及其上的封裝層去除。
2.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，在所述TFT基板、兩個光阻塊、有機半導體器件上制作形成封裝層具體包括：
在所述TFT基板、兩個光阻塊、有機半導體器件上交替沉積無機層和有機層；
在最后一層有機層上沉積無機層，以獲得所述封裝層。
3.根據權利要求2所述的封裝方法，其特征在于，所述有機層在所述TFT基板上的投影位于所述兩個光阻塊之間。
4.根據權利要求2所述的封裝方法，其特征在于，利用等離子體增強化學氣相沉積法、脈沖激光沉積法或濺射沉積法沉積無機層。
5.根據權利要求2-3任一所述的封裝方法，其特征在于，所述無機層的材質為SiOx或者SiNx。
6.根據權利要求2所述的封裝方法，其特征在于，利用噴墨印刷成型法、等離子體增強化學氣相沉積法或者夾縫式擠壓型涂布法沉積有機層。
7.根據權利要求2-3任一所述的封裝方法，其特征在于，所述有機層的材質選自亞克力、環氧樹脂、硅膠中的一種。
8.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，在所述TFT基板上制作形成間隔設置的兩個光阻塊具體包括：
在所述TFT基板上沉積一層光阻層，所述光阻層包括曝光部及位于所述曝光部兩側的非曝光部；
對所述光阻層進行曝光；
對所述光阻層進行顯影，以將所述曝光部去除，獲得間隔設置的兩個光阻塊。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
