[發明專利]發光元件的制造方法

有效

• 申請號: 201810077704.7
• 申請日: 2018-01-26
• 公開（公告）號: CN108365059B
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 井上直人;住友新隆
• 申請（專利權）人: 日亞化學工業株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 曲天佐

使利用了晶圓的切斷的制造方法中的成品率提高。發光元件的制造方法包含：工序(A)，準備晶圓(100W)，該晶圓(100W)包含具有第一以及第二主面的基板(110)、設置在第一主面(110a)上的電介質多層膜(120)、設置在第二主面(110b)上的半導體構造(130)；工序(B)，經由電介質多層膜向基板的內部會聚激光，在基板的內部形成改性區域(110s)，并從改性區域至電介質多層膜地產生龜裂；工序(C)，在工序(B)之后，去除電介質多層膜中的、包含龜裂的區域；工序(D)，通過在產生了龜裂的部位切斷晶圓。

技術領域

本發明涉及發光元件的制造方法。

背景技術

以發光二極管(LED)為代表的半導體發光元件正被廣泛利用。在發光二極管的制造中，一般采用了如下方法。首先，在基板上使半導體層生長，執行半導體層的圖案化、電極的形成等，進而在基板的主面上形成半導體構造。以下，在本說明書中，為了簡化，有時將在基板的主面上形成有半導體構造的構造體稱作“晶圓”。通過分割具有半導體構造的晶圓，獲得分別具有發光構造部的多個芯片。

下述的專利文獻1～3公開了使用藍寶石基板作為使半導體層生長的基板的半導體發光元件的制造方法。在專利文獻1～3所記載的技術中，作為使半導體層生長的基板，使用藍寶石基板，通過使激光聚光于基板內部而在基板內部形成改性區域，之后，例如將支承晶圓的帶沿晶圓的徑向擴展，從而將晶圓切斷。已知若在基板內部形成改性區域，則以改性區域為起點在基板內部產生龜裂，并且晶圓的切斷利用這樣的龜裂來實現。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2011/090024號

專利文獻2：日本特開2014－107485號公報

專利文獻3：日本特開2013－165186號公報

發明內容

存在利用了晶圓的切斷的制造方法中的成品率提高的要求。

本發明的一方式中的發光元件的制造方法包含：工序(A)，準備晶圓，該晶圓包含具有第一主面以及第二主面的基板、設置在所述第一主面上的電介質多層膜、設置在所述第二主面上的半導體構造；工序(B)，經由所述電介質多層膜向所述基板的內部會聚激光，在所述基板的內部形成改性區域，并從所述改性區域至所述電介質多層膜地產生龜裂；工序(C)，在所述工序(B)之后，去除所述電介質多層膜中的、包含所述龜裂的區域；工序(D)，通過在產生了所述龜裂的部位切斷所述晶圓，獲得多個發光元件。

根據本發明的一方式，能夠使發光元件的制造中的成品率提高。

附圖說明

圖1是用于說明本發明的實施方式的發光元件的例示的制造方法的流程圖。

圖2是切斷前的晶圓100W的一部分的示意性的剖面圖。

圖3是從電介質多層膜120側垂直于基板110的第一主面110a地觀察晶圓100W的俯視圖。

圖4是表示晶圓100W正被照射激光的狀態的示意性的剖面圖。

圖5是表示通過改性區域110s的形成產生了了龜裂Fra的狀態的示意性的剖面圖。

圖6是表示形成于電介質多層膜120的表面120a的龜裂的一個例子的俯視圖。

圖7是表示從垂直于基板110的第一主面110a的方向拍攝到的、電介質多層膜120的表面120a的照片的圖，并且是表示去除了電介質多層膜120中的包含龜裂的區域之后的一個例子的俯視圖。

圖8是表示將激光的照射應用于電介質多層膜120的局部去除的例子的示意性的剖面圖。