[發(fā)明專利]發(fā)光元件的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810077704.7
• 申請(qǐng)日: 2018-01-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108365059B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 井上直人;住友新隆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日亞化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 曲天佐

1.一種發(fā)光元件的制造方法，包含：

工序(A)，準(zhǔn)備晶圓，該晶圓包含具有第一主面以及第二主面的基板、設(shè)置在所述第一主面上的電介質(zhì)多層膜、設(shè)置在所述第二主面上的半導(dǎo)體構(gòu)造；

工序(B)，經(jīng)由所述電介質(zhì)多層膜向所述基板的內(nèi)部會(huì)聚激光，在所述基板的內(nèi)部形成改性區(qū)域，并從所述改性區(qū)域至所述電介質(zhì)多層膜地產(chǎn)生龜裂；

工序(C)，在所述工序(B)之后，去除所述電介質(zhì)多層膜中的、包含所述龜裂的區(qū)域；

工序(D)，通過(guò)在產(chǎn)生了所述龜裂的部位切斷所述晶圓，獲得多個(gè)發(fā)光元件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，

所述基板由藍(lán)寶石構(gòu)成，并且所述第二主面是c面，

所述工序(B)包含：

工序(B1)，沿與所述基板的a軸平行的第一方向掃描激光，從而沿所述第一方向形成多個(gè)所述改性區(qū)域；

工序(B2)，沿與所述基板的m軸平行的第二方向掃描激光，從而沿所述第二方向形成多個(gè)所述改性區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，

在所述工序(C)中，通過(guò)激光的照射，去除所述電介質(zhì)多層膜中的、包含所述龜裂的所述區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，

所述工序(C)包含：

工序(C1)，去除所述電介質(zhì)多層膜中的、從沿所述第一方向排列的多個(gè)所述改性區(qū)域向所述第二方向移位了規(guī)定量的部分；

工序(C2)，去除所述電介質(zhì)多層膜中的、沿所述第二方向排列的多個(gè)所述改性區(qū)域的正上方的區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，

在所述工序(C)中被去除的所述電介質(zhì)多層膜的寬度為8μm以上且10μm以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3、5中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，

所述電介質(zhì)多層膜包含從由SiO₂膜、TiO₂膜以及Nb₂O₅膜構(gòu)成的組中選擇出的2種以上。