[發明專利]基板處理裝置、模擬分配方法和計算機可讀取記錄介質

有效

• 申請號: 201810076767.0
• 申請日: 2018-01-26
• 公開（公告）號: CN108355869B
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 久保田稔;山中晉一郎
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: B05B13/02
• 分類號: B05B13/02;B05B12/00;B05B12/32;G03F7/20
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

本發明涉及基板處理裝置、模擬分配方法和計算機可讀取記錄介質。抑制向噴嘴的排出口的液濺并實現處理單元小型化。液處理單元(U1)具有保持晶片(W)并使其旋轉的旋轉保持部(20)；構成為從噴嘴(N1)對晶片(W)的表面(Wa)供給處理液(L1)的處理液供給部(40)；包圍由旋轉保持部(20)保持的晶片W的周圍并接收從處理液供給部(40)供給的處理液(L1)的杯體(30)；控制器(10)。杯體(30)具有防止從由旋轉保持部(20)保持并旋轉的晶片(W)甩出的液體飛散的外周壁(32)。控制器(10)執行從噴嘴(N1)將處理液(L1)模擬分配到外周壁(32)和旋轉保持部(20)之間的內側區域(R)的處理。

技術領域

本發明涉及基板處理裝置、模擬分配方法和計算機可讀取記錄介質。

背景技術

當前，在對基板(例如半導體晶片)進行精細加工而制造半導體設備時，廣泛進行采用光刻技術在基板形成凹凸圖案的作法。例如，在基板形成凹凸圖案的工序包括以下：在基板的表面形成抗蝕劑膜；將該抗蝕劑膜沿規定的圖案曝光；用顯影液對曝光后的抗蝕劑膜進行顯影而形成抗蝕劑圖案；隔著抗蝕劑圖案對基板進行蝕刻。

如上所述，在對基板進行精細加工時，從噴嘴對基板供給各種處理液。另一方面，在不從噴嘴對基板供給處理液的待機中，從噴嘴將處理液模擬分配。模擬分配是指例如為了抑制在噴嘴內滯留處理液而劣化，在待機中從噴嘴適當排出處理液的處理。

專利文獻1中公開了一種具備處理單元的基板處理裝置，該處理單元包含：保持基板的基板保持機構；從噴嘴對保持于基板保持機構的基板供給處理液的供給部；配置為與基板保持機構相鄰的噴嘴總線。在該處理單元中，在不對基板供給處理液的待機中，在使噴嘴位于噴嘴總線的上方的狀態下從噴嘴進行模擬分配。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2016-042565號公報

發明內容

發明所要解決的技術問題

但是，一般來說噴嘴總線是小型的，因此在噴嘴總線內從噴嘴排出處理液時，存在與噴嘴總線的壁面碰撞的處理液彈回噴嘴，而彈回的處理液附著在噴嘴的排出口附近的問題。在該情況下可以想到，附著在噴嘴的排出口附近的處理液有可能在基板的處理時下落到基板，使在經處理的基板產生缺陷。

另外，一般來說基板處理裝置具備多個處理模塊。在該情況下，處理單元不僅包含基板保持機構，還包含噴嘴總線，因此存在處理單元的尺寸大型化的傾向。因此，在為了提高基板的處理量而在基板處理裝置搭載有多個處理單元的情況下，基板處理裝置也大型化，存在導致成本增加的問題。

于是，本發明說明一種能夠抑制向噴嘴的排出口的液濺并且實現處理單元的小型化的基板處理裝置、模擬分配方法和計算機可讀取記錄介質。

用于解決技術問題的技術方案

[1]本發明的一個方面所涉及的基板處理裝置，具備：保持基板并且使其旋轉的旋轉保持部；構成為從上側噴嘴對基板的表面供給液體的第一供給部；包圍由旋轉保持部保持的基板的周圍并且接收從第一供給部供給的液體的杯體；和控制部。杯體具有外周壁，該外周壁防止從由旋轉保持部保持并旋轉的基板甩出的液體的飛散。控制部執行從上側噴嘴將處理液模擬分配到傾斜面的處理。

本發明的一個方面所涉及的基板處理裝置中，控制部控制第一供給部，從上側噴嘴將液體模擬分配到傾斜面。杯體內的空間比現有的噴嘴總線寬，因此即使從上側噴嘴排出液體，從杯體內彈回的液體也難以到達上側噴嘴。因此能夠抑制向上側噴嘴的液濺。由此在經處理的基板難以產生缺陷。另外，本發明的一個方面所涉及的基板處理裝置中，從上側噴嘴向杯體內進行模擬分配。因此不需要用于模擬分配的噴嘴總線。由此能夠實現處理單元的小型化。