[發明專利]集成電路器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201810076683.7
• 申請日: 2018-01-26
• 公開（公告）號: CN108573949B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發明（設計）人: 金永培;樸水賢;安商燻;李義福;姜成進;徐訓碩;吳赫祥;李禹鎮
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種集成電路器件，包括：

下布線結構，包括下金屬膜，其中所述下布線結構穿透設置在襯底之上的第一絕緣膜的至少一部分；

蓋層，覆蓋所述下金屬膜的頂表面；

第二絕緣膜，覆蓋所述蓋層；

上布線結構，穿透所述第二絕緣膜和所述蓋層，并電連接到所述下金屬膜；以及

空氣間隙，設置在所述下金屬膜與所述第二絕緣膜之間，并具有由所述蓋層與所述上布線結構之間的距離限定的寬度，

其中所述空氣間隙設置在所述上布線結構與所述蓋層之間使得所述上布線結構不接觸所述蓋層。

2.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中所述空氣間隙設置在由所述下金屬膜的所述頂表面和所述上布線結構的側壁限定的拐角區域處。

3.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中所述空氣間隙在垂直重疊所述下金屬膜的位置處圍繞所述上布線結構的至少一部分。

4.根據權利要求1所述的集成電路器件，

其中所述蓋層包括導電蓋層、包含金屬的第一絕緣蓋層和不包含所述金屬或另外的金屬的第二絕緣蓋層，

其中所述導電蓋層、所述第一絕緣蓋層和所述第二絕緣蓋層順序堆疊在彼此之上，

其中所述空氣間隙設置在所述導電蓋層與所述上布線結構之間。

5.根據權利要求4所述的集成電路器件，

其中所述導電蓋層的面對所述上布線結構的側壁和所述第一絕緣蓋層的面對所述上布線結構的側壁各自與所述上布線結構間隔開，

其中所述空氣間隙設置在所述導電蓋層的所述側壁與所述上布線結構之間以及在所述第一絕緣蓋層的所述側壁與所述上布線結構之間。

6.根據權利要求4所述的集成電路器件，其中所述空氣間隙在所述導電蓋層與所述上布線結構之間具有沿著第一方向的第一寬度，并在所述第一絕緣蓋層與所述上布線結構之間具有沿著所述第一方向的與所述第一寬度不同的第二寬度。

7.根據權利要求4所述的集成電路器件，其中所述空氣間隙設置在所述下金屬膜與所述第二絕緣蓋層之間。

8.根據權利要求1所述的集成電路器件，

其中所述蓋層包括包含第一金屬和半導體元素的第一導電合金蓋層、包含不同于所述第一金屬的第二金屬的第一絕緣蓋層以及不包括所述第一金屬、所述第二金屬或另外的金屬的第二絕緣蓋層，

其中所述第一導電合金蓋層、所述第一絕緣蓋層和所述第二絕緣蓋層順序堆疊在彼此之上，

其中所述空氣間隙設置在所述第一導電合金蓋層與所述第二絕緣蓋層之間。

9.根據權利要求8所述的集成電路器件，

其中所述蓋層還包括設置在所述下金屬膜與所述第一導電合金蓋層之間的第二導電合金蓋層，

其中所述第二導電合金蓋層包括所述半導體元素和不同于所述第一金屬的第三金屬。

10.根據權利要求1所述的集成電路器件，

其中所述蓋層包括導電蓋層和覆蓋所述導電蓋層并具有三層結構的絕緣蓋層，

其中所述絕緣蓋層包括包含金屬的第一絕緣蓋層、不包含所述金屬或另外的金屬的第二絕緣蓋層以及包含所述金屬或另外的金屬的第三絕緣蓋層，

其中所述第一絕緣蓋層、所述第二絕緣蓋層和所述第三絕緣蓋層順序堆疊在彼此之上。

11.根據權利要求10所述的集成電路器件，其中所述空氣間隙設置在所述導電蓋層與所述上布線結構之間。

12.根據權利要求10所述的集成電路器件，其中所述空氣間隙設置在所述第一絕緣蓋層和所述第三絕緣蓋層中的至少一個與所述上布線結構之間。

13.根據權利要求10所述的集成電路器件，其中所述第一絕緣蓋層和所述第三絕緣蓋層由相同的材料形成。