[發明專利]一種觸控基板及其制備方法、觸控顯示裝置在審
| 申請號: | 201810075727.4 | 申請日: | 2018-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN108288638A | 公開(公告)日: | 2018-07-17 |
| 發明(設計)人: | 郭遠征;代偉男 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 張雨竹 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 觸控電極 觸控基板 襯底 觸控顯示裝置 制備 曝光工藝 基層 觸控 | ||
本發明的實施例提供一種觸控基板及其制備方法、觸控顯示裝置,涉及觸控技術領域,可無需采用曝光工藝形成觸控電極。一種觸控基板,包括襯底、設置于所述襯底上的第一基層、設置于所述第一基層遠離所述襯底一側的多個第一觸控電極;所述第一基層包括與多個第一觸控電極分別對應的多個第一凹槽,第一觸控電極位于第一凹槽內。
技術領域
本發明涉及觸控技術領域,尤其涉及一種觸控基板及其制備方法、觸控顯示裝置。
背景技術
隨著顯示技術的飛速發展,TP(Touch Panel,觸控屏)的誕生使人們的生活更加便捷。
傳統的TP中,觸控電極采用ITO(氧化銦錫)制成,且一般通過曝光工藝進行圖案化。然而,由于曝光工藝大部分材料會被刻蝕,會存在材料嚴重浪費的問題。
發明內容
本發明的實施例提供一種觸控基板及其制備方法、觸控顯示裝置,可無需采用曝光工藝形成觸控電極。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
第一方面,提供一種觸控基板,包括襯底、設置于所述襯底上的第一基層、設置于所述第一基層遠離所述襯底一側的多個第一觸控電極;所述第一基層包括與多個所述第一觸控電極分別對應的多個第一凹槽,所述第一觸控電極位于所述第一凹槽內。
可選的,所述第一觸控電極與所述第一凹槽一一對應。
進一步的,一一對應的所述第一凹槽和第一觸控電極在所述襯底上的正投影完全重合。
可選的,所述第一觸控電極的材料包括納米銀。
可選的,所述第一基層的材料包括聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、環烯烴共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯中的至少一種。
可選的,所述第一基層的厚度在3~20μm范圍內。
可選的,所述第一觸控電極呈塊狀,且多個所述第一觸控電極呈陣列排布。
或者,可選的,所述第一觸控電極沿第一方向延伸;在此基礎上,所述觸控基板還包括設置于所述襯底上的第二基層、設置于所述第二基層遠離所述襯底一側的多個第二觸控電極;所述第二基層包括與多個所述第二觸控電極分別對應的多個第二凹槽,所述第二觸控電極位于所述第二凹槽內;所述第二觸控電極沿第二方向延伸;所述第一方向與所述第二方向交叉;所述第二觸控電極的材料與所述第一觸控電極的相同。
第二方面,提供一種觸控顯示裝置,包括第一方面所述的觸控基板。
可選的,所述觸控顯示裝置還包括顯示面板,所述觸控基板設置于所述顯示面板的出光側。
可選的,所述顯示面板為OLED顯示面板或柔性LCD顯示面板。
第三方面,提供一種觸控基板的制備方法,包括:在襯底上形成絕緣薄膜;在所述絕緣薄膜表面壓制與待形成的多個第一觸控電極分別對應的多個凹槽,形成第一基層中間體;對所述第一基層中間體進行固化,使所述凹槽形成為第一凹槽,得到第一基層;在所述第一基層的所述第一凹槽內形成第一觸控電極。
可選的,所述第一觸控電極與所述第一凹槽一一對應。
可選的,所述第一觸控電極的材料包括納米銀。
可選的,在襯底上形成絕緣薄膜,在所述絕緣薄膜表面壓制與待形成的多個第一觸控電極分別對應的多個凹槽,形成第一基層中間體,包括:在襯底上通過涂布工藝形成絕緣薄膜;蒸發去除所述絕緣薄膜中40~80%的溶劑;在所述絕緣薄膜表面壓制與待形成的多個第一觸控電極分別對應的多個凹槽,形成所述第一基層中間體。
可選的,對所述第一基層中間體進行固化,包括:蒸發去除所述第一基層中間體中90%及以上的溶劑。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





