[發明專利]一種觸控基板及其制備方法、觸控顯示裝置在審
| 申請號: | 201810075727.4 | 申請日: | 2018-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN108288638A | 公開(公告)日: | 2018-07-17 |
| 發明(設計)人: | 郭遠征;代偉男 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 張雨竹 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 觸控電極 觸控基板 襯底 觸控顯示裝置 制備 曝光工藝 基層 觸控 | ||
1.一種觸控基板,其特征在于,包括襯底、設置于所述襯底上的第一基層、設置于所述第一基層遠離所述襯底一側的多個第一觸控電極;
所述第一基層包括與多個所述第一觸控電極分別對應的多個第一凹槽,所述第一觸控電極位于所述第一凹槽內。
2.根據權利要求1所述的觸控基板,其特征在于,所述第一觸控電極與所述第一凹槽一一對應。
3.根據權利要求2所述的觸控基板,其特征在于,一一對應的所述第一凹槽和所述第一觸控電極在所述襯底上的正投影完全重合。
4.根據權利要求1所述的觸控基板,其特征在于,所述第一觸控電極的材料包括納米銀。
5.根據權利要求1所述的觸控基板,其特征在于,所述第一基層的材料包括聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、環烯烴共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯中的至少一種。
6.根據權利要求1所述的觸控基板,其特征在于,所述第一基層的厚度在3~20μm范圍內。
7.根據權利要求1-6任一項所述的觸控基板,其特征在于,所述第一觸控電極呈塊狀,且多個所述第一觸控電極呈陣列排布;或者,
所述第一觸控電極沿第一方向延伸;
所述觸控基板還包括設置于所述襯底上的第二基層、設置于所述第二基層遠離所述襯底一側的多個第二觸控電極;
所述第二基層包括與多個所述第二觸控電極分別對應的多個第二凹槽,所述第二觸控電極位于所述第二凹槽內;所述第二觸控電極沿第二方向延伸;所述第一方向與所述第二方向交叉;
所述第二觸控電極的材料與所述第一觸控電極的相同。
8.一種觸控顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1-7任一項所述的觸控基板。
9.根據權利要求8所述的觸控顯示裝置,其特征在于,還包括顯示面板,所述顯示面板為OLED顯示面板或柔性LCD顯示面板。
10.一種觸控基板的制備方法,其特征在于,包括:
在襯底上形成絕緣薄膜;
在所述絕緣薄膜表面壓制與待形成的多個第一觸控電極分別對應的多個凹槽,形成第一基層中間體;
對所述第一基層中間體進行固化,使所述凹槽形成為第一凹槽,得到第一基層;
在所述第一基層的所述第一凹槽內形成所述第一觸控電極。
11.根據權利要求10所述的制備方法,其特征在于,所述第一觸控電極與所述第一凹槽一一對應。
12.根據權利要求10所述的制備方法,其特征在于,所述第一觸控電極的材料包括納米銀。
13.根據權利要求10所述的制備方法,其特征在于,在襯底上形成絕緣薄膜,在所述絕緣薄膜表面壓制與待形成的多個第一觸控電極分別對應的多個凹槽,形成第一基層中間體,包括:
在襯底上通過涂布工藝形成絕緣薄膜;
蒸發去除所述絕緣薄膜中40~80%的溶劑;
在所述絕緣薄膜表面壓制與待形成的多個第一觸控電極分別對應的多個凹槽,形成所述第一基層中間體。
14.根據權利要求10所述的制備方法,其特征在于,對所述第一基層中間體進行固化,包括:
蒸發去除所述第一基層中間體中90%及以上的溶劑。
15.根據權利要求10所述的制備方法,其特征在于,在所述第一基層的所述第一凹槽內形成所述第一觸控電極,包括:
在所述第一基層的所述第一凹槽內通過溶液制程,形成所述第一觸控電極。
16.根據權利要求15所述的制備方法,其特征在于,所述溶液制程包括打印工藝或印刷工藝。
17.根據權利要求10-16任一項所述的制備方法,其特征在于,所述制備方法還包括:采用形成所述第一基層和所述第一觸控電極的方法,在所述襯底上形成第二基層和多個第二觸控電極;所述第二基層包括與多個所述第二觸控電極分別對應的多個第二凹槽,所述第二觸控電極位于所述第二凹槽內;
所述第二觸控電極的材料與所述第一觸控電極的相同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





