[發明專利]包括電阻器的半導體器件

有效

• 申請號: 201810075440.1
• 申請日: 2018-01-25
• 公開（公告）號: CN108538815B
• 公開（公告）日: 2023-01-31
• 發明（設計）人: 禹孝錫;尹壯根;任峻成;黃盛珉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L27/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 潘軍

提供了一種在半導體襯底上包括電阻器結構的半導體器件。所述電阻器結構包括焊盤部分和連接所述焊盤部分的電阻器主體。焊盤部分均具有比電阻器主體的寬度大的寬度。焊盤部分均包括焊盤圖案和覆蓋焊盤圖案的側壁和下表面的襯里圖案。所述電阻器主體從所述襯里圖案橫向地延伸。所述焊盤圖案包括與所述電阻器主體和所述襯里圖案不同的材料。

相關申請的交叉引用

本申請基于35U.S.C.§119要求2017年3月3日在韓國知識產權局遞交的韓國專利申請No.10-2017-0027699的優先權，其全部公開內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明構思的實施例總體上涉及半導體器件，并且更具體地涉及包括電阻器的半導體器件。

背景技術

半導體器件通常包括晶體管、二極管、電容器、電阻器等。在包括電阻器的半導體器件中，電阻器通常由用于形成柵電極或互連線的低電阻率金屬形成，因此需要增加電阻器的長度以滿足電阻器的期望的電阻量值。電阻器的增加的長度導致在半導體器件中占據更大面積的更大的電阻器，隨著半導體器件變得越來越小，這呈現了問題。

發明內容

本發明構思的一些實施例提供了一種在半導體襯底上包括半導體襯底和電阻器結構的半導體器件。所述電阻器結構包括焊盤部分和連接所述焊盤部分的電阻器主體。焊盤部分均具有比電阻器主體的寬度大的寬度。焊盤部分均包括焊盤圖案和覆蓋焊盤圖案的側壁和下表面的襯里圖案。所述電阻器主體從所述襯里圖案橫向地延伸。所述焊盤圖案包括與所述電阻器主體和所述襯里圖案不同的材料。

本發明構思的另外的實施例提供了一種半導體器件，該半導體器件包括半導體襯底、半導體襯底上的第一電阻器結構以及半導體襯底上的第一晶體管。第一晶體管包括第一柵極結構，第一柵極結構包括第一柵電極結構和覆蓋所述第一柵電極結構的側壁和下表面的第一柵電介質層。所述第一柵電極結構包括第一柵電極圖案和第二柵電極圖案。所述第一柵電極圖案覆蓋所述第二柵電極圖案的側壁和下表面并且包括具有比所述第二柵電極圖案高的電阻率的導電材料。第一電阻器結構包括第一焊盤部分和連接第一焊盤部分的第一電阻器主體。第一電阻器結構包括與第一柵電極圖案相同的材料。

附圖說明

圖1是示出了根據本發明構思的一些實施例的半導體器件的透視圖。

圖2A和圖2B是示出了根據本發明構思的一些實施例的半導體器件的截面圖。

圖3A和圖3B是示出了根據本發明構思的一些實施例的半導體器件的截面圖。

圖4是示出了根據本發明構思的一些實施例的半導體器件的截面圖。

圖5是示出了根據本發明構思的一些實施例的半導體器件的平面圖。

圖6至圖9是分別示出了根據本發明構思的一些實施例的半導體器件的截面圖。

圖10是示出了根據本發明構思的一些實施例的半導體器件的平面圖。

圖11是示出了根據本發明構思的一些實施例的半導體器件的截面圖。

圖12是示出了根據本發明構思的一些實施例的半導體器件的平面圖。

圖13A和圖13B是示出了根據本發明構思的一些實施例的半導體的截面圖。

圖14是示出了根據本發明構思的一些實施例的半導體器件的平面圖。

圖15是示出了根據本發明構思的一些實施例的半導體器件的截面圖。

圖16是示出了根據本發明構思的一些實施例的半導體器件的平面圖。

圖17是示出了根據本發明構思的一些實施例的半導體器件的截面圖。

圖18是示出了根據本發明構思的一些實施例的半導體器件的平面圖。