[發明專利]包括電阻器的半導體器件

有效

• 申請號: 201810075440.1
• 申請日: 2018-01-25
• 公開（公告）號: CN108538815B
• 公開（公告）日: 2023-01-31
• 發明（設計）人: 禹孝錫;尹壯根;任峻成;黃盛珉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L27/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 潘軍

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底；以及

電阻器結構，在所述半導體襯底上，

其中所述電阻器結構包括焊盤部分和連接所述焊盤部分的電阻器主體；

其中每一個所述焊盤部分的寬度大于所述電阻器主體的寬度，

其中每一個所述焊盤部分包括焊盤圖案和覆蓋所述焊盤圖案的側壁和下表面的襯里圖案；

其中所述電阻器主體從所述襯里圖案橫向地延伸；以及

其中所述焊盤圖案包括與所述電阻器主體和所述襯里圖案不同的材料。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括覆蓋所述電阻器結構的側壁和下表面的電阻器電介質層。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，還包括在所述半導體襯底上的下部絕緣結構，所述下部絕緣結構包括開口，

其中所述電阻器結構和所述電阻器電介質層填充所述下部絕緣結構的開口。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述電阻器電介質層具有比所述下部絕緣結構高的介電常數。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述電阻器主體包括電阻率比所述焊盤圖案高的材料。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

在所述半導體襯底上的隔離區，所述隔離區限定有源區和保護環；以及

在所述半導體襯底上的晶體管，所述晶體管包括與所述有源區相交的柵極結構，

其中所述柵極結構包括柵電極結構和覆蓋所述柵電極結構的側壁和下表面的柵電介質結構；

其中所述柵電極結構包括第一柵電極圖案和第二柵電極圖案，

其中所述第二柵電極圖案具有柱形狀并且包括與所述焊盤圖案相同的材料；以及

其中所述第一柵電極圖案覆蓋所述第二柵電極圖案的側壁和下表面，并且包括與所述襯里圖案和所述電阻器主體相同的材料。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述電阻器結構設置在由所述保護環圍繞的隔離區上。

8.根據權利要求1所述的半導體器件：

其中所述襯里圖案和所述電阻器主體均包括第一導電層和第二導電層；

其中所述焊盤圖案具有柱形狀；

其中所述襯里圖案的所述第二導電層比所述襯里圖案的所述第一導電層更接近所述焊盤圖案，并且覆蓋所述焊盤圖案的所述側壁和所述下表面；以及

其中所述電阻器主體的所述第二導電層從所述襯里圖案的所述第二導電層橫向地延伸。

9.根據權利要求1所述的半導體器件：

其中所述焊盤圖案包括第一焊盤層和第二焊盤層；

其中所述第二焊盤層具有柱形狀；以及

其中所述第一焊盤層覆蓋所述第二焊盤層的側壁和下表面。

10.根據權利要求1所述的半導體器件：

其中在所述電阻器結構中，所述焊盤部分包括端部焊盤部分和所述端部焊盤部分之間的中間焊盤部分；以及

其中所述電阻器主體連接在所述端部焊盤部分和所述中間焊盤部分之間。

11.一種半導體器件，包括：

半導體襯底；

第一電阻器結構，在所述半導體襯底上；以及

第一晶體管，在所述半導體襯底上，

其中所述第一晶體管包括第一柵極結構；

其中所述第一柵極結構包括第一柵電極結構和覆蓋所述第一柵電極結構的側壁和下表面的第一柵電介質層；

其中所述第一柵電極結構包括第一柵電極圖案和第二柵電極圖案；

其中所述第一柵電極圖案覆蓋所述第二柵電極圖案的側壁和下表面，并且包括電阻率比所述第二柵電極圖案高的導電材料；以及

其中所述第一電阻器結構包括第一焊盤部分和連接所述第一焊盤部分并且包括與所述第一柵電極圖案相同的材料的第一電阻器主體。