[發明專利]通過光阻剝離實現電極層圖案化的方法

有效

• 申請號: 201810074903.2
• 申請日: 2018-01-25
• 公開（公告）號: CN108269736B
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 尹易彪
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;李雯雯

本發明提供一種通過光阻剝離實現電極層圖案化的方法，先在基板上連續涂布交聯性能不同的下層光阻與上層光阻形成光阻層，然后使用半色調光罩對所述光阻層進行曝光、顯影，再去除第二光阻區域內的光阻層而保留第一光阻區域內的光阻層，接著沉積電極層，最后剝離第一光阻區域內的上層光阻與下層光阻，同時去除沉積在第一光阻區域內的上層光阻上的部分電極層，得到圖案化的電極層，相比現有的利用單層光阻剝離來實現電極層圖案化的方法，能夠提高光阻剝離速率，加快實現電極層圖案化的效率。

技術領域

本發明涉及顯示面板制程領域，尤其涉及一種通過光阻剝離實現電極層圖案化的方法。

背景技術

隨著顯示技術的發展，液晶顯示面板(Liquid Crystal Display，LCD)與有機發光二極管顯示面板(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板顯示裝置已經成為了市場上的主流產品。

LCD顯示面板具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點，得到了廣泛地應用，如：液晶電視、智能手機、數字相機、平板電腦、計算機屏幕、或筆記本電腦屏幕等。OLED顯示面板與LCD顯示面板相比，具有更輕薄、寬視角、主動發光、發光顏色連續可調、響應速度更快、發光效率高及可柔性顯示等優點。

薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT ArraySubstrate)是OLED顯示面板及LCD顯示面板的重要組成部分，在TFT陣列基板的制作過程中，需要多次采用光刻工藝來制作柵電極、源/漏電極及像素電極等結構層。完整的光刻工藝包括光阻(PR)涂布、曝光、顯影、蝕刻、光阻剝離等工序。為了節省光罩，減少工序，出現了利用光阻剝離來同步消除位于待剝離光阻上的部分電極層以實現電極層圖案化的方法，本領域技術人員常稱之為PR Lift-off方法。

就現有的PR Lift-off方法來說，不管是對正性光阻(受到光照射的部分被顯影液去除)還是負性光阻(未受到光照射的部分被顯影液去除)，光阻剝離的速度較慢，光阻剝離的難度較大，從而實現電極層圖案化的效率較低。如圖1所述，針對負性光阻，待剝離的光阻塊100呈倒梯形(該待剝離的光阻塊100位于基板300與待去除的電極塊500之間)，倒梯形的腰相對豎直方向的夾角，又稱為底切角(Undercut)較小，剝離液向光阻塊100的滲入速度較慢，從而剝離光阻的速率較慢；如圖2所示，針對正性光阻，待剝離的光阻塊100’(該待剝離的光阻塊100’位于緩沖層200與待去除的電極塊500’之間，緩沖層200位于基板300’上)呈梯形，梯形的腰相對豎直方向的夾角也較小，剝離液向光阻塊100’的滲入速度較慢，從而剝離光阻的速率較慢；如圖3所示，目前還有一種PR納米絨化技術(正性光阻與負性光阻均可采用))來剝離光阻塊100”(光阻塊100”位于基板300”上)，但PR納米絨化技術實施難度大，不僅剝離速率慢，還會對相關制程所在的腔室造成污染。

發明內容

本發明的目的在于提供一種通過光阻剝離實現電極層圖案化的方法，能夠提高光阻剝離速率，加快實現電極層圖案化的效率。

為實現上述目的，本發明提供一種通過光阻剝離實現電極層圖案化的方法，包括如下步驟：

步驟S1、在基板上至少連續涂布一層下層光阻與一層上層光阻，形成光阻層；

所述下層光阻與上層光阻的交聯性能不同；

步驟S2、使用半色調光罩對所述光阻層進行曝光、顯影，形成第一光阻區域、第二光阻區域及無光阻區域；

步驟S3、去除所述第二光阻區域內的光阻層，而保留所述第一光阻區域內的光阻層；

步驟S4、在所述基板與第一光阻區域內的上層光阻上沉積電極層；

步驟S5、利用剝離液剝離所述第一光阻區域內的上層光阻與下層光阻，同時去除沉積在所述第一光阻區域內的上層光阻上的部分電極層，得到圖案化的電極層。