[發明專利]通過光阻剝離實現電極層圖案化的方法

有效

• 申請號: 201810074903.2
• 申請日: 2018-01-25
• 公開（公告）號: CN108269736B
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 尹易彪
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;李雯雯

1.一種通過光阻剝離實現電極層圖案化的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1、在基板(1)上至少連續涂布一層下層光阻(21)與一層上層光阻(22)，形成光阻層(2)；

所述下層光阻(21)與上層光阻(22)的交聯性能不同；

步驟S2、使用半色調光罩對所述光阻層(2)進行曝光、顯影，形成第一光阻區域(A)、第二光阻區域(B)及無光阻區域(D)；

步驟S3、去除所述第二光阻區域(B)內的光阻層(2)，而保留所述第一光阻區域(A)內的光阻層(2)；步驟S4、在所述基板(1)與第一光阻區域(A)內的上層光阻(22)上沉積電極層(3)；

步驟S5、利用剝離液剝離所述第一光阻區域(A)內的上層光阻(22)與下層光阻(21)，同時去除沉積在所述第一光阻區域(A)內的上層光阻(22)上的部分電極層(3)，得到圖案化的電極層(3)；

所述上層光阻(22)與所述下層光阻(21)的組分均含有感光劑，且所述上層光阻(22)中感光劑的含量與所述下層光阻(21)中感光劑的含量不同或者所述上層光阻(22)中感光劑的種類與所述下層光阻(21)中感光劑的種類不同。

2.如權利要求1所述的通過光阻剝離實現電極層圖案化的方法，其特征在于，在所述步驟S2與步驟S3之間還包括：

步驟S23、透過所述無光阻區域(D)對所述基板(1)進行蝕刻，形成過孔(V)；

所述步驟S4所述沉積的電極層(3)還填充所述過孔(V)。

3.如權利要求2所述的通過光阻剝離實現電極層圖案化的方法，其特征在于，所述基板(1)包括襯底基板(11)及設于所述襯底基板(11)上的緩沖層(12)，所述過孔(V)貫穿所述緩沖層(12)。

4.如權利要求1所述的通過光阻剝離實現電極層圖案化的方法，其特征在于，所述下層光阻(21)與上層光阻(22)均為負性光阻，經所述步驟S2曝光、顯影后，所述第一光阻區域(A)內下層光阻(21)與上層光阻(22)均呈倒梯形。

5.如權利要求4所述的通過光阻剝離實現電極層圖案化的方法，其特征在于，所述上層光阻(22)的感光能力高于下層光阻(21)的感光能力，從而經曝光后所述上層光阻(22)的交聯性能高于下層光阻(21)的交聯性能。

6.如權利要求4所述的通過光阻剝離實現電極層圖案化的方法，其特征在于，所述上層光阻(22)的感光能力低于下層光阻(21)的感光能力，從而經曝光后所述上層光阻(22)的交聯性能低于下層光阻(21)的交聯性能。

7.如權利要求1所述的通過光阻剝離實現電極層圖案化的方法，其特征在于，所述上層光阻(22)與所述下層光阻(21)的組分還含有溶劑與酚醛樹脂。

8.如權利要求1所述的通過光阻剝離實現電極層圖案化的方法，其特征在于，所述下層光阻(21)與上層光阻(22)均為正性光阻，經所述步驟S2曝光、顯影后，所述第一光阻區域(A)內下層光阻(21)與上層光阻(22)均呈梯形。