[發明專利]一種柔性LED芯片及其制作方法、封裝方法

有效

• 申請號: 201810072169.6
• 申請日: 2018-01-25
• 公開（公告）號: CN108281532B
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 賈釗;趙炆兼;馬祥柱;張國慶;陳凱軒
• 申請（專利權）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李婷婷;王寶筠

本申請提供一種柔性LED芯片及其制作方法、封裝方法，在柔性襯底上形成第一型半導體層、多量子阱層和第二型半導體層。由于柔性襯底相對于藍寶石襯底和硅襯底等硬質襯底，其厚度更薄，使得LED芯片的厚度更薄，散熱更快。而通過在柔性襯底上形成兩個過孔，在過孔中形成第一電極和第二電極，使得第一電極和第二電極裸露在柔性襯底的同一個表面，從而能夠采用CSP工藝進行封裝，使得封裝后的LED芯片的厚度更薄，且封裝工藝簡單。

技術領域

本發明涉及半導體芯片制作技術領域，尤其涉及一種柔性LED芯片及其制作方法、封裝方法。

背景技術

LED被稱為第四代照明光源或綠色光源，具有節能、環保、壽命長、體積小等特點，廣泛應用于各種指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明和城市夜景等領域。根據使用功能的不同，可以將其劃分為信息顯示、信號燈、車用燈具、液晶屏背光源、通用照明五大類。

隨著LED芯片制作技術的不斷提升，現有技術中LED芯片的可靠性和光電轉換效率已經有較大提升，但是現有技術中通常在高溫環境下，采用外延生長的方式在晶格較為匹配的襯底上依次生長緩沖層、N型層、多量子阱層(MQW)、P型層和歐姆接觸層，晶格較為匹配的襯底一般為藍寶石襯底或硅襯底，但是由于藍寶石襯底和硅襯底需要為后續外延生長的LED外延結構層提供支撐，通常藍寶石襯底和硅襯底的厚度較大，這就造成了LED芯片的厚度較大，出現散熱慢或封裝工藝繁瑣的問題。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種柔性LED芯片及其制作方法、封裝方法，以解決現有技術中采用在藍寶石襯底或硅襯底上外延生長各層結構的LED芯片存在厚度較大，導致的散熱慢或封裝工藝繁瑣的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種柔性LED芯片制作方法，包括：

提供柔性襯底，所述柔性襯底包括相對設置的第一表面和第二表面；

在所述柔性襯底上形成第一過孔和第二過孔；

在所述柔性襯底的所述第一表面形成第一電極和第二電極，所述第一電極填充所述第一過孔，并延伸至所述柔性襯底的第二表面，所述第二電極填充所述第二過孔，并延伸至所述柔性襯底的第二表面；

在所述柔性襯底上所述第二電極之外的區域依次形成第一型半導體層、多量子阱層和第二型半導體層；

在所述第二電極和所述第一型半導體層、所述多量子阱層之間的區域沉積鈍化層，所述鈍化層背離所述柔性襯底的表面至少高于所述多量子阱層和所述第二型半導體層的交界面；

濺射歐姆接觸層，所述歐姆接觸層連接所述第二電極和所述第二型半導體層；

快速熱退火。

本發明還提供一種柔性LED芯片，采用上面所述的制作方法制作形成，所述柔性LED芯片包括：

柔性襯底，所述柔性襯底包括相對設置的第一表面和第二表面；

位于所述柔性襯底第一表面的第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極均通過所述柔性襯底上的過孔延伸至所述柔性襯底的第二表面；

位于所述柔性襯底第二表面上，沿背離所述柔性襯底方向上依次設置的第一型半導體層、多量子阱層和第二型半導體層，其中，所述第一型半導體層與所述第一電極歐姆接觸；

鈍化層，所述鈍化層隔絕所述第二電極和所述第一型半導體層、所述多量子阱層；

歐姆接觸層，所述歐姆接觸層覆蓋所述鈍化層、所述第二電極和所述第二型半導體層，并使所述第二電極和所述第二型半導體層歐姆接觸。

本發明還提供一種柔性LED芯片封裝方法，包括：