[發明專利]一種柔性LED芯片及其制作方法、封裝方法

有效

• 申請號: 201810072169.6
• 申請日: 2018-01-25
• 公開（公告）號: CN108281532B
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 賈釗;趙炆兼;馬祥柱;張國慶;陳凱軒
• 申請（專利權）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李婷婷;王寶筠

1.一種柔性LED芯片制作方法，其特征在于，包括：

提供柔性襯底，所述柔性襯底包括相對設置的第一表面和第二表面；

在所述柔性襯底上形成第一過孔和第二過孔；

在所述柔性襯底的所述第一表面形成第一電極和第二電極，所述第一電極填充所述第一過孔，并延伸至所述柔性襯底的第二表面，所述第二電極填充所述第二過孔，并延伸至所述柔性襯底的第二表面；

在所述柔性襯底上所述第二電極之外的區域采用濺射工藝依次形成第一型半導體層、多量子阱層和第二型半導體層；

在所述第二電極和所述第一型半導體層、所述多量子阱層之間的區域沉積鈍化層，所述鈍化層背離所述柔性襯底的表面至少高于所述多量子阱層和所述第二型半導體層的交界面；

濺射歐姆接觸層，所述歐姆接觸層連接所述第二電極和所述第二型半導體層；

快速熱退火；

其中，所述在所述柔性襯底上所述第二電極之外的區域依次形成第一型半導體層、多量子阱層和第二型半導體層，具體包括：

采用第一光刻膠遮擋所述柔性襯底第二表面的所述第二電極區域；

采用濺射工藝在所述柔性襯底上未被遮擋區域依次濺射形成第一型半導體層、多量子阱層和第二型半導體層；

去除所述第一光刻膠。

2.根據權利要求1所述的柔性LED芯片制作方法，其特征在于，所述采用濺射工藝在所述柔性襯底上未被遮擋區域依次濺射形成第一型半導體層、多量子阱層和第二型半導體層，具體包括：

提供第一型半導體層靶材、第二型半導體層靶材、勢壘層靶材、勢阱層靶材；

在濺射腔體內安裝所述第一型半導體層靶材；

在所述柔性襯底上未被遮擋區域濺射形成第一型半導體層；

在所述濺射腔體內交替安裝所述勢壘層靶材和所述勢阱層靶材；

在所述第一型半導體層上交替形成多個勢壘層和多個勢阱層，組成多量子阱層；

在所述濺射腔內安裝所述第二型半導體層靶材；

在所述多量子阱層上形成第二型半導體層。

3.根據權利要求2所述的柔性LED芯片制作方法，其特征在于，所述提供第一型半導體層靶材、第二型半導體層靶材、勢壘層靶材、勢阱層靶材，具體包括：

提供四片半導體襯底，包括第一型摻雜半導體襯底、第二型摻雜半導體襯底、第一半導體襯底和第二半導體襯底；

在四片所述半導體襯底上均生長蝕刻截止層；

在所述第一型摻雜半導體襯底的蝕刻截止層上形成第一型半導體材料、在所述第二型摻雜半導體襯底的蝕刻截止層上形成第二型半導體材料、在所述第一半導體襯底上的蝕刻截止層上形成勢壘層材料、在所述第二半導體襯底上的蝕刻截止層上形成勢阱層材料形成組合片；

將四個組合片分別套上靶材套環；

去除四個組合片上的半導體襯底和蝕刻截止層，形成第一型半導體層靶材、第二型半導體層靶材、勢壘層靶材、勢阱層靶材。

4.根據權利要求3所述的柔性LED芯片制作方法，其特征在于，所述第一型摻雜半導體襯底、所述第二型摻雜半導體襯底、所述第一半導體襯底和所述第二半導體襯底的襯底材質相同，為GaN、GaAs或AlGaN。

5.根據權利要求1所述的柔性LED芯片制作方法，其特征在于，所述在所述柔性襯底上所述第二電極之外的區域依次形成第一型半導體層、多量子阱層和第二型半導體層，具體包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上依次外延生長蝕刻截止層、所述第一型半導體層、所述多量子阱層和所述第二型半導體層；

將所述第二型半導體層與所述柔性襯底的第二表面進行鍵合；

剝離所述半導體襯底；

蝕刻去除所述柔性襯底第二表面上第二電極區域對應的所述第一型半導體層、所述多量子阱層和所述第二型半導體層，裸露出所述第二電極。

6.根據權利要求5所述的柔性LED芯片制作方法，其特征在于，所述半導體襯底的材質為GaN、GaAs或AlGaN。