[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

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• 申請日: 2018-01-25
• 公開（公告）號: CN110085569B
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張峰溢;李甫哲;陳界得;張翊菁
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含接觸洞，設(shè)于層間介電層中；阻障層，內(nèi)襯接觸洞并覆蓋層間介電層；接觸插塞，位于接觸洞內(nèi)的阻障層上；第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，一體構(gòu)成于接觸插塞上；第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)于層間介電層上；以及間隙，位于第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間。間隙包含一垂直溝槽，向下凹陷至層間介電層中，以及一斷口，位于阻障層中，其中斷口延伸至第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)下方構(gòu)成一底切結(jié)構(gòu)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)

隨著存儲器制作工藝的線寬越來越小，在周邊電路或核心電路中將M0鎢金屬層圖案化成細(xì)線路時，常遭遇細(xì)線路間的短路問題。

因此，該技術(shù)領(lǐng)域仍需要一種改良的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)的不足與缺點。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種改良的半導(dǎo)體元件制作方法，可以解決現(xiàn)有技術(shù)的不足。

本發(fā)明一實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包含一基底，包含一導(dǎo)電區(qū)域；一層間介電層，覆蓋基底；一接觸洞，設(shè)于層間介電層中，其中接觸洞顯露出部分的導(dǎo)電區(qū)域；一阻障層，內(nèi)襯接觸洞的表面并且覆蓋層間介電層的一上表面；一接觸插塞，位于接觸洞內(nèi)的阻障層上；一第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，一體構(gòu)成于接觸插塞上；一第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)于層間介電層的上表面上，其中第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)鄰近第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；以及一間隙，位于第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間，其中間隙包含一垂直溝槽，向下凹陷至層間介電層中，以及一斷口，位于阻障層中，其中斷口延伸至第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)下方構(gòu)成一底切結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明另一實施例提供一種制作半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。首先提供一基底，包含一導(dǎo)電區(qū)域以及一層間介電層，層間介電層覆蓋基底與導(dǎo)電區(qū)域。在層間介電層中形成一接觸洞，其中接觸洞顯露出部分的導(dǎo)電區(qū)域。順形的于接觸洞的表面內(nèi)襯一阻障層，并且使阻障層覆蓋層間介電層的上表面。在阻障層上沉積一導(dǎo)電層，其中導(dǎo)電層填入接觸洞，形成一接觸插塞。進(jìn)行一光刻及各向異性蝕刻制作工藝，蝕刻導(dǎo)電層、阻障層與層間介電層，以形成一第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，一體構(gòu)成在接觸插塞上，以及一第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)于層間介電層的上表面，其中第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)鄰近第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。進(jìn)行一選擇性蝕刻制作工藝，選擇性的僅蝕刻阻障層，以于第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間形成一間隙，其中間隙包含一垂直溝槽，向下凹陷至層間介電層中，以及一斷口，位于阻障層中，其中斷口延伸至第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)下方構(gòu)成一底切結(jié)構(gòu)。

為讓本發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施方式，并配合所附的附圖，作詳細(xì)說明如下。然而如下的優(yōu)選實施方式與附圖僅供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制者。

附圖說明

圖1至圖5為本發(fā)明一實施例所繪示的制作半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法的剖面示意圖；

圖6為本發(fā)明另一實施例所繪示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，其中顯示出于第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)下方形成孔洞；

圖7至圖9為本發(fā)明其它不同實施例所繪示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

主要元件符號說明

1、2、2a、3 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

10 場效晶體管

30 接觸插塞

100 基底

101 導(dǎo)電區(qū)域

102 柵極結(jié)構(gòu)

110 層間介電層

110a、110b 接觸洞

120 阻障層

130 導(dǎo)電層

140 間隙填補材料層

141 孔洞