[發明專利]半導體結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201810072080.X
• 申請日: 2018-01-25
• 公開（公告）號: CN110085569B
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 張峰溢;李甫哲;陳界得;張翊菁
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體結構，其特征在于，包含：

基底，包含一導電區域；

層間介電層，覆蓋該基底；

接觸洞，設于該層間介電層中，其中該接觸洞顯露出部分的該導電區域；

阻障層，內襯該接觸洞的表面并且覆蓋該層間介電層的一上表面；

接觸插塞，位于該接觸洞內的該阻障層上；

第一導電結構，一體構成于該接觸插塞上；

第二導電結構，設于該層間介電層的該上表面上，其中該第二導電結構鄰近該第一導電結構；以及

間隙，位于該第一導電結構與該第二導電結構之間，其中該間隙包含一垂直溝槽，向下凹陷至該層間介電層中，以及一斷口，位于該阻障層中，其中該斷口延伸至該第二導電結構下方構成一底切結構。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其中該垂直溝槽向下凹陷至該接觸插塞的上部。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其中另包含：

間隙填補材料層，位于該間隙中，其中該間隙填補材料層填入該垂直溝槽及該斷口。

4.如權利要求3所述的半導體結構，其中該底切結構未被該間隙填補材料層填滿，而在該阻障層及該間隙填補材料層之間構成一孔洞。

5.如權利要求3所述的半導體結構，其中該間隙填補材料層包含氮化硅。

6.如權利要求3所述的半導體結構，其中該間隙填補材料層的頂面與該第一導電結構的頂面、該第二導電層的頂面齊平。

7.如權利要求1所述的半導體結構，其中該阻障層中的該斷口位于該接觸洞的上端轉角處。

8.如權利要求7所述的半導體結構，其中該斷口顯露出該接觸洞的上端轉角處的該層間介電層。

9.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第一導電結構及該第二導電結構為共平面且由同一金屬內連線層所構成。

10.如權利要求9所述的半導體結構，其中該金屬內連線層為M0金屬層。

11.如權利要求10所述的半導體結構，其中該M0金屬層包含鎢。

12.如權利要求1所述的半導體結構，其中該阻障層包含鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、氮化鎢或以上組合。

13.如權利要求1所述的半導體結構，其中該導電區域為一場效晶體管的源極/漏極摻雜區。

14.一種制作半導體結構的方法，其特征在于，包含：

基底，包含導電區域以及層間介電層，該層間介電層覆蓋該基底與該導電區域；

在該層間介電層中形成一接觸洞，其中該接觸洞顯露出部分的該導電區域；

順形的于該接觸洞的表面內襯一阻障層，并且使該阻障層覆蓋該層間介電層的上表面；

在該阻障層上沉積一導電層，其中該導電層填入該接觸洞，形成一接觸插塞；

進行一光刻及各向異性蝕刻制作工藝，蝕刻該導電層、該阻障層與該層間介電層，以形成一第一導電結構，一體構成在該接觸插塞上，以及一第二導電結構，設于該層間介電層的上表面，其中該第二導電結構鄰近該第一導電結構；以及

進行一選擇性蝕刻制作工藝，選擇性的蝕刻該阻障層，以于該第一導電結構與該第二導電結構之間形成一間隙，其中該間隙包含一垂直溝槽，向下凹陷至該層間介電層中，以及一斷口，位于該阻障層中，其中該斷口延伸至該第二導電結構下方構成一底切結構。

15.如權利要求14所述的方法，其中另包含：

在該第一導電結構及該第二導電結構上沉積一間隙填補材料層，并使該間隙填補材料層填入該間隙中；以及

研磨該間隙填補材料層，使該間隙填補材料層的上表面與該第一導電結構及該第二導電結構的上表面齊平。