[發(fā)明專利]ESD器件結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810071115.8
• 申請(qǐng)日: 2018-01-25
• 公開（公告）號(hào): CN108281420B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄧樟鵬;蘇慶;韋敏俠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 焦天雷

1.一種ESD器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：第一P-LDMOS、第二P-LDMOS和寄生SCR；

所述第一P-LDMOS和第二P-LDMOS共用高壓P阱（HVPW），在第一P-LDMOS漏極和第二P-LDMOS漏極之間的高壓P阱（HVPW）中設(shè)置N+區(qū)域形成的寄生SCR；

其中，第一P-LDMOS的多晶硅柵通過第一電阻連接其源極和P型襯底后連接靜電端，第二P-LDMOS的多晶硅柵通過第二電阻連接其源極和P型襯底后連接靜電端，第二P-LDMOS的漏極和寄生SCR的N+區(qū)域相連后接地，第一P-LDMOS的漏極浮空。

2.如權(quán)利要求1所述的ESD器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一P-LDMOS和第二P-LDMOS結(jié)構(gòu)相同，以寄生SCR的N+區(qū)域?yàn)橹行男纬勺笥曳菍?duì)稱結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求2所述的ESD器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一P-LDMOS柵極和漏極之間場(chǎng)氧區(qū)域的寬度大于第二P-LDMOS柵極和漏極之間場(chǎng)氧區(qū)域的寬度。

4.如權(quán)利要求3所述的ESD器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一P-LDMOS包括：P型襯底、高壓N阱、高壓P阱、第一P+區(qū)域、第二P+區(qū)域、第一N+區(qū)域和多晶硅柵；

高壓N阱和高壓P阱并列設(shè)置在P型襯底上部，第一P+區(qū)域和第一N+區(qū)域并列設(shè)置在高壓N阱上部,第一P+區(qū)域和第一N+區(qū)域之間設(shè)有第一場(chǎng)氧區(qū)域，第二場(chǎng)氧區(qū)域設(shè)置在高壓P阱上部，第一P+區(qū)域右側(cè)的高壓N阱、高壓P阱和第二場(chǎng)氧區(qū)域上方設(shè)有多晶硅柵，第二P+區(qū)域設(shè)置在第二場(chǎng)氧右側(cè)的高壓P阱中。