[發(fā)明專利]一種單面雙接觸線路板實現(xiàn)兩面接觸的激光蝕刻加工工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810069776.7 | 申請日: | 2018-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN108076590A | 公開(公告)日: | 2018-05-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳子明 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳光韻達(dá)激光應(yīng)用技術(shù)有限公司;吳子明 |
| 主分類號: | H05K3/02 | 分類號: | H05K3/02 |
| 代理公司: | 廣東廣和律師事務(wù)所 44298 | 代理人: | 王少強 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 激光蝕刻 導(dǎo)體層 絕緣層 單面雙接觸線路板 激光加工設(shè)備 光斑 加工基板 基板 平頂 加工 預(yù)備 電路板基板材料 電路板基板 高斯光束 基板材料 激光光束 激光光線 加工平臺 加工效率 整形處理 激光器 傳統(tǒng)的 接觸點 金手指 朝上 穩(wěn)態(tài) 焊接 清潔 | ||
本發(fā)明提供一種單面雙接觸線路板實現(xiàn)兩面接觸的激光蝕刻加工工藝,包括以下步驟,S1:預(yù)備清潔完成后、待加工的電路板基板材料,并將該基板材料放置于預(yù)備好的激光加工設(shè)備加工平臺上;保持基板的導(dǎo)體層一面朝下,基板的絕緣層一面朝上;S2:對激光加工設(shè)備中激光器所發(fā)出的激光光線進(jìn)行整形處理,使其成為高斯光束、平頂光斑以及穩(wěn)態(tài)平頂光斑;S3:利用激光光束對待加工基板材料(絕緣層一面)進(jìn)行激光蝕刻;且控制激光蝕刻一直加工到待加工基板的導(dǎo)體層部位,加工完成后露出的導(dǎo)體層形成電路板基板的線路、PAD或接觸點,本設(shè)計激光蝕刻精確度高,且改善了傳統(tǒng)的金手指、焊接PAD等加工工藝,整個處理過程更加簡單明了,且加工效率高。
[技術(shù)領(lǐng)域]
本發(fā)明涉及激光蝕刻加工電路板技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種蝕刻精確度高,效果優(yōu)良的單面雙接觸線路板實現(xiàn)兩面接觸的激光蝕刻加工工藝。
[背景技術(shù)]
現(xiàn)有FPC/PCB以及IC封裝用PCB載板(IC Substrate)等集成電路、金屬銅基板電路、金屬鋁基板電路、液晶高分子聚合物(Liquid Crystal Polymer)基材的電路基板以及含有聚四氟乙烯(Poly tetra fluoroethylene,簡寫為PTFE)電路基板中的單面板,目前只能實現(xiàn)導(dǎo)體面(包含銅箔,鋁箔,其它金屬箔最為導(dǎo)體線路的物質(zhì))進(jìn)行表面處理后的元器件焊接(包含SMD/SMT),或者進(jìn)行金屬導(dǎo)體間的連接與接觸。
目前使用的線路板導(dǎo)體層中,常采用銅箔、鋁箔或者其它金屬箔最為導(dǎo)體線路的物質(zhì),且線路板基材絕緣層材質(zhì)一般為聚酰亞胺薄膜(PolyimideFilm)、熱塑性聚酰亞胺TPI(Thermoplastic polyimide)、PP、FR4、液晶高分子聚合物(Liquid Crystal Polymer/聚四氟乙烯(Poly tetra fluoroethylene)材質(zhì),實際使用過程中,結(jié)合PCB/FPC金手指(起到連接與焊接/插拔/接觸/互聯(lián)的作用)以及SMD原件的焊接PAD/其它接觸點進(jìn)行電性導(dǎo)通。
為了改善目前只能實現(xiàn)導(dǎo)體面連接與接觸的現(xiàn)狀,本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)行了大量的研發(fā)和實驗,并取得了較好的成績。
[發(fā)明內(nèi)容]
為克服現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題,本發(fā)明提供一種蝕刻精確度高,效果優(yōu)良的單面雙接觸線路板實現(xiàn)兩面接觸的激光蝕刻加工工藝。
本發(fā)明解決技術(shù)問題的方案是提供一種單面雙接觸線路板實現(xiàn)兩面接觸的激光蝕刻加工工藝,包括以下步驟,
S1:預(yù)備清潔完成后、待加工的電路板基板材料,并將該基板材料放置于預(yù)備好的激光加工設(shè)備加工平臺上;保持基板的導(dǎo)體層一面朝下,基板的絕緣層一面朝上;
S2:對激光加工設(shè)備中激光器所發(fā)出的激光光線進(jìn)行整形處理,使其成為高斯光束、平頂光斑以及穩(wěn)態(tài)平頂光斑;
S3:利用步驟S2處理完成后的激光光束對步驟S1中放置于激光加工平臺上的待加工基板材料(絕緣層一面)進(jìn)行激光蝕刻;且控制激光蝕刻一直加工到待加工基板的導(dǎo)體層部位,加工完成后露出的導(dǎo)體層形成電路板基板的線路、PAD或接觸點;
S4:對步驟S3中加工完畢的電路板基板材料進(jìn)行清潔處理,將露出的導(dǎo)體層金屬面處理干凈,并烘干;
S5:對步驟S4中清潔完成的電路板基板的導(dǎo)體層兩面進(jìn)行表面處理;并進(jìn)行后續(xù)電路板加工處理流程;
S6:激光蝕刻加工完成。
優(yōu)選地,所述步驟S2中的激光器為納秒、皮秒、飛秒、準(zhǔn)分子、亞納秒或者是光纖形態(tài)激光器。
優(yōu)選地,所述步驟S2中的激光器為波長范圍為480nm-580nm的綠光光源激光器、波長范圍為280nm-410nm的UV紫光光源激光器、波長范圍為750nm-2500nm的CO2光源激光器或者是波長范圍為218nm-299nm的UV深紫光光源激光器。
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