[發明專利]一種單面雙接觸線路板實現兩面接觸的激光蝕刻加工工藝

在審

• 申請號: 201810069776.7
• 申請日: 2018-01-24
• 公開（公告）號: CN108076590A
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 吳子明
• 申請（專利權）人: 深圳光韻達激光應用技術有限公司;吳子明
• 主分類號: H05K3/02
• 分類號: H05K3/02
• 代理公司: 廣東廣和律師事務所 44298
• 代理人: 王少強

本發明提供一種單面雙接觸線路板實現兩面接觸的激光蝕刻加工工藝，包括以下步驟，S1：預備清潔完成后、待加工的電路板基板材料，并將該基板材料放置于預備好的激光加工設備加工平臺上；保持基板的導體層一面朝下，基板的絕緣層一面朝上；S2：對激光加工設備中激光器所發出的激光光線進行整形處理，使其成為高斯光束、平頂光斑以及穩態平頂光斑；S3：利用激光光束對待加工基板材料(絕緣層一面)進行激光蝕刻；且控制激光蝕刻一直加工到待加工基板的導體層部位，加工完成后露出的導體層形成電路板基板的線路、PAD或接觸點，本設計激光蝕刻精確度高，且改善了傳統的金手指、焊接PAD等加工工藝，整個處理過程更加簡單明了，且加工效率高。

[技術領域]

本發明涉及激光蝕刻加工電路板技術領域，尤其涉及一種蝕刻精確度高，效果優良的單面雙接觸線路板實現兩面接觸的激光蝕刻加工工藝。

[背景技術]

現有FPC/PCB以及IC封裝用PCB載板(IC Substrate)等集成電路、金屬銅基板電路、金屬鋁基板電路、液晶高分子聚合物(Liquid Crystal Polymer)基材的電路基板以及含有聚四氟乙烯(Poly tetra fluoroethylene，簡寫為PTFE)電路基板中的單面板，目前只能實現導體面(包含銅箔，鋁箔，其它金屬箔最為導體線路的物質)進行表面處理后的元器件焊接(包含SMD/SMT),或者進行金屬導體間的連接與接觸。

目前使用的線路板導體層中，常采用銅箔、鋁箔或者其它金屬箔最為導體線路的物質，且線路板基材絕緣層材質一般為聚酰亞胺薄膜(PolyimideFilm)、熱塑性聚酰亞胺TPI(Thermoplastic polyimide)、PP、FR4、液晶高分子聚合物(Liquid Crystal Polymer/聚四氟乙烯(Poly tetra fluoroethylene)材質，實際使用過程中，結合PCB/FPC金手指(起到連接與焊接/插拔/接觸/互聯的作用)以及SMD原件的焊接PAD/其它接觸點進行電性導通。

為了改善目前只能實現導體面連接與接觸的現狀，本領域的技術人員進行了大量的研發和實驗，并取得了較好的成績。

[發明內容]

為克服現有技術所存在的問題，本發明提供一種蝕刻精確度高，效果優良的單面雙接觸線路板實現兩面接觸的激光蝕刻加工工藝。

本發明解決技術問題的方案是提供一種單面雙接觸線路板實現兩面接觸的激光蝕刻加工工藝，包括以下步驟，

S1：預備清潔完成后、待加工的電路板基板材料，并將該基板材料放置于預備好的激光加工設備加工平臺上；保持基板的導體層一面朝下，基板的絕緣層一面朝上；

S2：對激光加工設備中激光器所發出的激光光線進行整形處理，使其成為高斯光束、平頂光斑以及穩態平頂光斑；

S3：利用步驟S2處理完成后的激光光束對步驟S1中放置于激光加工平臺上的待加工基板材料(絕緣層一面)進行激光蝕刻；且控制激光蝕刻一直加工到待加工基板的導體層部位，加工完成后露出的導體層形成電路板基板的線路、PAD或接觸點；

S4：對步驟S3中加工完畢的電路板基板材料進行清潔處理，將露出的導體層金屬面處理干凈，并烘干；

S5：對步驟S4中清潔完成的電路板基板的導體層兩面進行表面處理；并進行后續電路板加工處理流程；

S6：激光蝕刻加工完成。

優選地，所述步驟S2中的激光器為納秒、皮秒、飛秒、準分子、亞納秒或者是光纖形態激光器。

優選地，所述步驟S2中的激光器為波長范圍為480nm-580nm的綠光光源激光器、波長范圍為280nm-410nm的UV紫光光源激光器、波長范圍為750nm-2500nm的CO2光源激光器或者是波長范圍為218nm-299nm的UV深紫光光源激光器。