[發(fā)明專利]一種單面雙接觸線路板實現(xiàn)兩面接觸的激光蝕刻加工工藝

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201810069776.7
• 申請日: 2018-01-24
• 公開（公告）號: CN108076590A
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳子明
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳光韻達(dá)激光應(yīng)用技術(shù)有限公司;吳子明
• 主分類號: H05K3/02
• 分類號: H05K3/02
• 代理公司: 廣東廣和律師事務(wù)所 44298
• 代理人: 王少強

本發(fā)明提供一種單面雙接觸線路板實現(xiàn)兩面接觸的激光蝕刻加工工藝，包括以下步驟，S1：預(yù)備清潔完成后、待加工的電路板基板材料，并將該基板材料放置于預(yù)備好的激光加工設(shè)備加工平臺上；保持基板的導(dǎo)體層一面朝下，基板的絕緣層一面朝上；S2：對激光加工設(shè)備中激光器所發(fā)出的激光光線進(jìn)行整形處理，使其成為高斯光束、平頂光斑以及穩(wěn)態(tài)平頂光斑；S3：利用激光光束對待加工基板材料(絕緣層一面)進(jìn)行激光蝕刻；且控制激光蝕刻一直加工到待加工基板的導(dǎo)體層部位，加工完成后露出的導(dǎo)體層形成電路板基板的線路、PAD或接觸點，本設(shè)計激光蝕刻精確度高，且改善了傳統(tǒng)的金手指、焊接PAD等加工工藝，整個處理過程更加簡單明了，且加工效率高。

[技術(shù)領(lǐng)域]

本發(fā)明涉及激光蝕刻加工電路板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種蝕刻精確度高，效果優(yōu)良的單面雙接觸線路板實現(xiàn)兩面接觸的激光蝕刻加工工藝。

[背景技術(shù)]

現(xiàn)有FPC/PCB以及IC封裝用PCB載板(IC Substrate)等集成電路、金屬銅基板電路、金屬鋁基板電路、液晶高分子聚合物(Liquid Crystal Polymer)基材的電路基板以及含有聚四氟乙烯(Poly tetra fluoroethylene，簡寫為PTFE)電路基板中的單面板，目前只能實現(xiàn)導(dǎo)體面(包含銅箔，鋁箔，其它金屬箔最為導(dǎo)體線路的物質(zhì))進(jìn)行表面處理后的元器件焊接(包含SMD/SMT),或者進(jìn)行金屬導(dǎo)體間的連接與接觸。

目前使用的線路板導(dǎo)體層中，常采用銅箔、鋁箔或者其它金屬箔最為導(dǎo)體線路的物質(zhì)，且線路板基材絕緣層材質(zhì)一般為聚酰亞胺薄膜(PolyimideFilm)、熱塑性聚酰亞胺TPI(Thermoplastic polyimide)、PP、FR4、液晶高分子聚合物(Liquid Crystal Polymer/聚四氟乙烯(Poly tetra fluoroethylene)材質(zhì)，實際使用過程中，結(jié)合PCB/FPC金手指(起到連接與焊接/插拔/接觸/互聯(lián)的作用)以及SMD原件的焊接PAD/其它接觸點進(jìn)行電性導(dǎo)通。

為了改善目前只能實現(xiàn)導(dǎo)體面連接與接觸的現(xiàn)狀，本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)行了大量的研發(fā)和實驗，并取得了較好的成績。

[發(fā)明內(nèi)容]

為克服現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題，本發(fā)明提供一種蝕刻精確度高，效果優(yōu)良的單面雙接觸線路板實現(xiàn)兩面接觸的激光蝕刻加工工藝。

本發(fā)明解決技術(shù)問題的方案是提供一種單面雙接觸線路板實現(xiàn)兩面接觸的激光蝕刻加工工藝，包括以下步驟，

S1：預(yù)備清潔完成后、待加工的電路板基板材料，并將該基板材料放置于預(yù)備好的激光加工設(shè)備加工平臺上；保持基板的導(dǎo)體層一面朝下，基板的絕緣層一面朝上；

S2：對激光加工設(shè)備中激光器所發(fā)出的激光光線進(jìn)行整形處理，使其成為高斯光束、平頂光斑以及穩(wěn)態(tài)平頂光斑；

S3：利用步驟S2處理完成后的激光光束對步驟S1中放置于激光加工平臺上的待加工基板材料(絕緣層一面)進(jìn)行激光蝕刻；且控制激光蝕刻一直加工到待加工基板的導(dǎo)體層部位，加工完成后露出的導(dǎo)體層形成電路板基板的線路、PAD或接觸點；

S4：對步驟S3中加工完畢的電路板基板材料進(jìn)行清潔處理，將露出的導(dǎo)體層金屬面處理干凈，并烘干；

S5：對步驟S4中清潔完成的電路板基板的導(dǎo)體層兩面進(jìn)行表面處理；并進(jìn)行后續(xù)電路板加工處理流程；

S6：激光蝕刻加工完成。

優(yōu)選地，所述步驟S2中的激光器為納秒、皮秒、飛秒、準(zhǔn)分子、亞納秒或者是光纖形態(tài)激光器。

優(yōu)選地，所述步驟S2中的激光器為波長范圍為480nm-580nm的綠光光源激光器、波長范圍為280nm-410nm的UV紫光光源激光器、波長范圍為750nm-2500nm的CO2光源激光器或者是波長范圍為218nm-299nm的UV深紫光光源激光器。