[發明專利]一種單面雙接觸線路板實現兩面接觸的激光蝕刻加工工藝

在審

• 申請號: 201810069776.7
• 申請日: 2018-01-24
• 公開（公告）號: CN108076590A
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 吳子明
• 申請（專利權）人: 深圳光韻達激光應用技術有限公司;吳子明
• 主分類號: H05K3/02
• 分類號: H05K3/02
• 代理公司: 廣東廣和律師事務所 44298
• 代理人: 王少強

1.一種單面雙接觸線路板實現兩面接觸的激光蝕刻加工工藝，其特征在于：包括以下步驟，

S1：預備清潔完成后、待加工的電路板基板材料，并將該基板材料放置于預備好的激光加工設備加工平臺上；保持基板的導體層一面朝下，基板的絕緣層一面朝上；

S2：對激光加工設備中激光器所發出的激光光線進行整形處理，使其成為高斯光束、平頂光斑以及穩態平頂光斑；

S3：利用步驟S2處理完成后的激光光束對步驟S1中放置于激光加工平臺上的待加工基板材料(絕緣層一面)進行激光蝕刻；且控制激光蝕刻一直加工到待加工基板的導體層部位，加工完成后露出的導體層形成電路板基板的線路、PAD或接觸點；

S4：對步驟S3中加工完畢的電路板基板材料進行清潔處理，將露出的導體層金屬面處理干凈，并烘干；

S5：對步驟S4中清潔完成的電路板基板的導體層兩面進行表面處理；并進行后續電路板加工處理流程；

S6：激光蝕刻加工完成。

2.如權利要求1所述的一種單面雙接觸線路板實現兩面接觸的激光蝕刻加工工藝，其特征在于：所述步驟S2中的激光器為納秒、皮秒、飛秒、準分子、亞納秒或者是光纖形態激光器。

3.如權利要求1或2所述的一種單面雙接觸線路板實現兩面接觸的激光蝕刻加工工藝，其特征在于：所述步驟S2中的激光器為波長范圍為480nm-580nm的綠光光源激光器、波長范圍為280nm-410nm的UV紫光光源激光器、波長范圍為750nm-2500nm的CO2光源激光器或者是波長范圍為218nm-299nm的UV深紫光光源激光器。

4.如權利要求1所述的一種單面雙接觸線路板實現兩面接觸的激光蝕刻加工工藝，其特征在于：所述步驟S1中待加工基材材料的導體層與絕緣層之間設置有粘結膠層；且該粘結膠層的厚度范圍為2微米至50微米。

5.如權利要求1所述的一種單面雙接觸線路板實現兩面接觸的激光蝕刻加工工藝，其特征在于：所述步驟S1中導體層為銅箔或鋁箔；且導體層厚度范圍為2微米至500微米。

6.如權利要求1所述的一種單面雙接觸線路板實現兩面接觸的激光蝕刻加工工藝，其特征在于：所述步驟S1中的絕緣層為聚酰亞胺薄膜(Polyimide Film)、熱塑性聚酰亞胺TPI(Thermoplastic polyimide)、PP、FR4、液晶高分子聚合物(Liquid Crystal Polymer)或聚四氟乙烯(Poly tetra fluoroethylene)材質制作而成；且絕緣層的厚度范圍為5微米至250微米。

7.如權利要求1或4或5或6所述的一種單面雙接觸線路板實現兩面接觸的激光蝕刻加工工藝，其特征在于：所述步驟S2中，激光器所發出的激光光斑直徑范圍為1微米至500微米，且形狀為圓形、正方形、長條形或橢圓形造型。

8.如權利要求1所述的一種單面雙接觸線路板實現兩面接觸的激光蝕刻加工工藝，其特征在于：所述步驟S3激光蝕刻加工過程中，激光蝕刻加工到待加工基板的導體層部位時，可控制激光蝕刻加工部分導體層材質，且控制被加工的導體層厚度范圍在0.1微米至20微米之間。

9.如權利要求1或8所述的一種單面雙接觸線路板實現兩面接觸的激光蝕刻加工工藝，其特征在于：所述步驟S4中的清潔處理過程可以為plasma等離子清洗、desmear前處理、化學前處理、微蝕刻(Microetch)、過硫化鈉(sodium persulphate)清理、過氧化硫酸(peroxide/sulfuric acid)清理以及噴砂研磨法或機械研磨法。

10.如權利要求1所述的一種單面雙接觸線路板實現兩面接觸的激光蝕刻加工工藝，其特征在于：所述步驟S5中的對導體層的表面處理過程包括鍍金、化金、鍍錫、化錫、鍍銀、化銀、沉錫(Immersion Tin)、沉銀(Immersion silver)、化鎳浸金(ENIG)或OSP(Organicsolderability preservative)。