[發(fā)明專利]重新校準環(huán)形胞元電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810067650.6 | 申請日： | 2018-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN109861686A | 公開（公告）日： | 2019-06-07 |
| 發(fā)明（設計）人： | 蔡宗憲;張智賢;沈瑞濱;謝正祥 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H03L7/099 | 分類號： | H03L7/099 |
| 代理公司： | 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權代理有限公司 32243 | 代理人： | 顧伯興 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 輸出 重新校準 電連接 或門 與門 胞元 電路 單端 漏極 轉差 配置 | ||
【權利要求書】：
1.一種重新校準環(huán)形胞元電路，其特征在于，包括：
單端轉差分單元，具有輸入、第一輸出及第二輸出，所述輸入被配置成接收重新校準信號，所述第一輸出用于輸出第一差分輸出，所述第二輸出用于輸出第二差分輸出；
或門，其中用于輸出的所述第一輸出是所述或門的第一輸入；
與門，其中用于輸出的所述第二輸出是所述與門的第一輸入；
第一P型金屬氧化物半導體晶體管，其中所述第一P型金屬氧化物半導體晶體管的柵極電連接到所述或門的輸出；以及
第一N型金屬氧化物半導體晶體管，其中所述第一N型金屬氧化物半導體晶體管的柵極電連接到所述與門的輸出，其中所述第一P型金屬氧化物半導體晶體管的漏極與所述第一N型金屬氧化物半導體晶體管的漏極相互電連接且還電連接到所述或門的第二輸入及所述與門的第二輸入。
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