[發明專利]抗蝕劑墊層組成物和使用所述組成物形成圖案的方法

有效

• 申請號: 201810067086.8
• 申請日: 2018-01-24
• 公開（公告）號: CN108388079B
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 裵信孝;權純亨;樸賢;白載烈;周范俊;崔有廷;韓權愚
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004;G03F7/115
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 李艷;臧建明

本申請公開一種抗蝕劑墊層組成物，其包含包括由化學式1和化學式2表示的部分的聚合物和溶劑，且本申請另公開一種使用所述抗蝕劑墊層組成物形成圖案的方法。化學式1和化學式2的定義與實施方式中相同。[化學式1][化學式2]

相關申請的交叉引用

本申請要求2017年2月3日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請第10-2017-0015750號的優先權和權益，其全部內容以引用的方式并入本文中。

技術領域

本公開涉及一種抗蝕劑墊層組成物和一種使用其形成圖案的方法。更具體來說，本公開涉及一種光刻膠墊層組成物，其用于在半導體襯底和光刻膠層之間形成的墊層，以及涉及一種使用所述墊層形成光刻膠圖案的方法。

背景技術

最近，半導體行業已發展到具有幾納米到幾十納米尺寸的圖案的超精細技術。這類超精細技術主要需要有效的光刻技術。

典型光刻技術包含在半導體襯底上涂布光刻膠膜并且通過曝光和顯影光刻膠膜形成光刻膠圖案。光刻膠是一種用于轉移襯底上的圖像的感光膜。

在形成光刻膠圖案期間進行曝光是獲得具有高分辨率的光刻膠圖像的重要因素之一。

通過使用激活的輻射進行光刻膠的曝光，激活的輻射通常經反射并且因此限制光刻膠層中經圖案化的圖像的分辨率，并且具體來說，當輻射在襯底和光刻膠層之間的界面上或在夾層硬掩模上反射時，激活的輻射散射到光刻膠區域中，光刻膠線寬可能變得不均勻并且可能遮擋圖案形式。

另外，光刻膠墊層組成物應吸收經反射的輻射并且同時具有光刻膠的高蝕刻選擇性并且在經熱固化之后的后續工藝中需要針對溶劑的耐化學性和到光刻膠的優良粘附來幫助光刻膠進行圖案化。

為了減少經反射的輻射，已經通過在襯底和光刻膠層之間安置有機層(即所謂的抗蝕劑墊層)來嘗試吸收穿過光刻膠的光并且同時提高蝕刻選擇性、耐化學性和到光刻膠的粘附。

發明內容

本申請的一個實施例提供一種抗蝕劑墊層組成物，其具有平坦化特征和快速蝕刻速率，并且同時具有預定波長中的吸收特性。

本申請的另一實施例提供一種使用抗蝕劑墊層組成物形成圖案的方法。

根據一個實施例，抗蝕劑墊層組成物包含包括由化學式1和化學式2表示的部分的聚合物和溶劑。

[化學式1]

在化學式1中，

B是由化學式Z表示的二價基團、氧、經取代或未經取代的C1到C30亞烷基、經取代或未經取代的C1到C30亞雜烷基、經取代或未經取代的C3到C30亞環烷基或其組合，

Y和Y'獨立地是單鍵、氧、羰基、-(CH₂)O-、-(CH₂)S-、-(CH₂)NH-或其組合，

R²到R⁹獨立地是氫、羥基、鹵素、經取代或未經取代的乙烯基、經取代或未經取代的C1到C10烷氧基、經取代或未經取代的C1到C30烷基、經取代或未經取代的C2到C30烯基、經取代或未經取代的C2到C30炔基、經取代或未經取代的C6到C30芳基、經取代或未經取代的C1到C30雜烷基、經取代或未經取代的C2到C30雜芳基或其組合，

a、b、c以及d獨立地是0到100范圍內的整數，其限制條件是a和b的總和大于或等于1以及c和d的總和大于或等于1，且

*是連接點。

[化學式Z]

在化學式Z中，