[發明專利]用于晶圓可接受性測試的焊盤及其制造方法在審
| 申請號： | 201810065931.8 | 申請日： | 2018-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN108281365A | 公開（公告）日： | 2018-07-13 |
| 發明（設計）人： | 湯茂亮;柯天麒;姜鵬 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 馬景輝 |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體基底 可接受性測試 金屬層 焊盤 晶圓 二極管串聯 二極管 制造 | ||
1.一種用于晶圓可接受性測試的焊盤，其特征在于，包括：
半導體基底，具有至少一個二極管；以及
位于所述半導體基底上方的至少一個金屬層，用于連接到所述半導體基底中的器件；
其中，所述至少一個二極管串聯連接到所述至少一個金屬層中最接近所述半導體基底的金屬層。
2.根據權利要求1所述的焊盤，其特征在于，所述至少一個二極管包括至少兩個二極管，所述至少兩個二極管被串聯連接。
3.根據權利要求2所述的焊盤，其特征在于，所述至少兩個二極管通過所述至少一個金屬層串聯連接。
4.根據權利要求2所述的焊盤，其特征在于，所述至少兩個二極管通過導電材料串聯連接。
5.根據權利要求4所述的焊盤，其特征在于，所述導電材料為多晶硅或金屬。
6.根據權利要求1或2所述的焊盤，其特征在于，所述二極管的導通方向相同。
7.根據權利要求6所述的焊盤，其特征在于，所述半導體基底接地，所述二極管的導通方向為從所述地朝向所述器件。
8.根據權利要求1所述的焊盤，其特征在于，所述半導體基底是第一摻雜類型的半導體基底，所述半導體基底中還包括：
第二摻雜類型的深阱；以及
在所述深阱的邊緣向上延伸至所述半導體基底的表面的第二摻雜類型的阱。
9.一種制造用于晶圓可接受性測試的焊盤的方法，其特征在于，包括：
提供半導體基底，所述半導體基底的摻雜類型為第一摻雜類型；
對所述半導體基底的第一區域進行摻雜處理，使得所述第一區域的摻雜類型為第二摻雜類型，從而形成至少一個二極管；
在所述半導體基底上形成至少一個金屬層，使得所述至少一個金屬層連接到所述半導體基底中的器件；以及
使所述至少一個二極管串聯連接到所述至少一個金屬層中最接近所述半導體基底的金屬層。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，還包括：
在所述半導體基底中形成第二摻雜類型的深阱；以及
在所述深阱的邊緣形成向上延伸至所述半導體基底的表面的第二摻雜類型的阱。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
