[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201810065539.3
• 申請日: 2013-11-04
• 公開（公告）號: CN108461457B
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 金田芳晴
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/495;H01L23/488;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;王娟娟

一種半導體器件及其制造方法，謀求半導體器件的低成本化。封裝(7)的多條引線的針腳式接合部(3bc)包括最表面被實施了Ag鍍層(8b)的第1區域(3bd)、和最表面被實施了Ni鍍層(8a)的第2區域(3be)，第2區域配置在芯片焊盤(3a)側，第1區域配置在封固體(4)的周緣部側。因此，在各針腳式接合部中，能夠通過第1區域和第2區域區分對最表面實施的電鍍層種類，并能夠使粗的Al導線(6b)與第2引線(3bb)的第2區域連接，使細的Au導線(6a)與第1引線(3ba)的第1區域連接。其結果為，能夠避免僅使用Au鍍層的情況，從而謀求封裝(7)的低成本化。

本申請是申請日為2013年11月04日、申請號為201310538497.8、發明名稱為“半導體器件及其制造方法”的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及半導體器件及其制造技術，涉及適用于使用例如兩種直徑的導線的半導體器件及其組裝的有效技術。

背景技術

作為半導體器件中的引線框架組裝體，如下構造例如被日本特開2003-209132號公報(專利文獻1)公開，所述構造為：在各引線端子的焊盤部的導出部側的二分之一區域形成有由以鎳為主成分的金屬構成的第1電鍍面，在焊盤部的靠近支承板的緣部的二分之一區域形成有由以銀為主成分的金屬構成的第2電鍍面。

另外，在引線框架組裝體中如下構造例如被日本特開2007-294530號公報(專利文獻2)公開，所述構造為：在五條引線端子的焊盤部的前端面上形成有鍍銀面，在引線端子之一上連接有鋁細線及金細線，鋁細線與鍍鎳面連接，金細線與鍍銀面連接。

另外，在具有包含功率MOSFET或功率雙極型晶體管的半導體芯片的半導體器件中，如下構造例如被日本特表2000-503491號公報(專利文獻3)公開，所述構造為：上述MOSFET或雙極型晶體管在半導體芯片的表面具有對稱配置的兩個輸出端，該輸出端經由兩條相同的接合導線而對稱地連接在電路板上。

另外，在半導體器件中如下構造例如被日本特開平3-198356號公報(專利文獻4)公開，所述構造為：使將半導體元件和沒有半導體元件搭載部的引線框架的內部引線連接起來的金屬細線中的至少一條金屬細線比其他金屬細線粗，另外以最短路徑進行連接，從而將半導體元件固定在內部引線上。

另外，在半導體器件中如下構造例如被日本實開平3-109818號公報(專利文獻5)公開，所述構造為：具有散熱板、多條一組的引線、和固定在散熱板上的半導體芯片，多條引線中的一條引線與散熱板連結，半導體芯片上的電極和其他引線通過導線而電連接。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003-209132號公報

專利文獻2：日本特開2007-294530號公報

專利文獻3：日本特表2000-503491號公報

專利文獻4：日本特開平3-198356號公報

專利文獻5：日本實開平3-109818號公報

發明內容

在使用引線框架而組裝的半導體封裝(半導體器件)中，為了謀求性能提高，需要不改變半導體封裝的外觀尺寸地增加輸出引線的條數。

即，隨著半導體封裝的高性能化，存在要求維持相同封裝尺寸而僅增加輸出引線(輸出管腳)的條數的情況。例如，公知在一個封裝內混合搭載有MOS(Metal OxideSemiconductor)IC(Integrated Circuit)和控制IC、且輸出引線為例如五條的功率器件。