[發(fā)明專(zhuān)利]固相結(jié)晶方法與低溫多晶硅TFT基板的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810065170.6
• 申請(qǐng)日: 2018-01-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108281350B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 喻蕾;李松杉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/205
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/205;H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂;聞盼盼

1.一種固相結(jié)晶方法，其特征在于，包括：提供非晶硅，將非晶硅加熱至第一結(jié)晶溫度后，對(duì)非晶硅繼續(xù)加熱，使其在第一時(shí)間段內(nèi)從第一結(jié)晶溫度逐漸升溫至第二結(jié)晶溫度，將非晶硅在第二結(jié)晶溫度保溫一段時(shí)間后，對(duì)非晶硅進(jìn)行降溫，使其在第二時(shí)間段內(nèi)從第二結(jié)晶溫度逐漸降溫至第一結(jié)晶溫度，對(duì)非晶硅繼續(xù)降溫，使其降至室溫，得到低溫多晶硅；

所述第一時(shí)間段與第二時(shí)間段長(zhǎng)度相同，均為1分鐘至10分鐘，將非晶硅在第二結(jié)晶溫度保溫的時(shí)間為30分鐘至120分鐘。

2.如權(quán)利要求1所述的固相結(jié)晶方法，其特征在于，所述第一結(jié)晶溫度為380-420℃，所述第二結(jié)晶溫度為630-670℃。

3.如權(quán)利要求1所述的固相結(jié)晶方法，其特征在于，所述第一時(shí)間段與第二時(shí)間段均為5分鐘，將非晶硅在第二結(jié)晶溫度保溫的時(shí)間為60分鐘。

4.如權(quán)利要求1所述的固相結(jié)晶方法，其特征在于，所述非晶硅按照恒定的升溫速率從第一結(jié)晶溫度逐漸升溫至第二結(jié)晶溫度，并按照恒定的降溫速率從第二結(jié)晶溫度逐漸降溫至第一結(jié)晶溫度，所述升溫速率與降溫速率相同。

5.一種低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1、提供襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上沉積緩沖層(20)，在所述緩沖層(20)上沉積非晶硅層(31)，得到待處理基板(40)；

步驟S2、采用固相結(jié)晶方法使所述非晶硅層(31)轉(zhuǎn)化為低溫多晶硅層(32)，所述固相結(jié)晶方法包括：將所述待處理基板(40)加熱至第一結(jié)晶溫度后，對(duì)所述待處理基板(40)繼續(xù)加熱，使其在第一時(shí)間段內(nèi)從第一結(jié)晶溫度逐漸升溫至第二結(jié)晶溫度，將所述待處理基板(40)在第二結(jié)晶溫度保溫一段時(shí)間后，對(duì)所述待處理基板(40)進(jìn)行降溫，使其在第二時(shí)間段內(nèi)從第二結(jié)晶溫度逐漸降溫至第一結(jié)晶溫度，對(duì)所述待處理基板(40)繼續(xù)降溫，使其降至室溫；

步驟S3、對(duì)所述低溫多晶硅層(32)進(jìn)行圖形化處理，得到有源層(50)；

在所述有源層(50)與緩沖層(20)上沉積柵極絕緣層(60)，在所述柵極絕緣層(60)上形成柵極(70)；

步驟S4、采用自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)以所述柵極(70)為掩膜板在所述有源層(50)的兩端植入摻雜離子，形成源極接觸區(qū)(51)、漏極接觸區(qū)(52)以及位于所述源極接觸區(qū)(51)與漏極接觸區(qū)(52)之間且對(duì)應(yīng)于所述柵極(70)下方的溝道區(qū)(53)；

步驟S5、在所述柵極(70)與柵極絕緣層(60)上沉積層間介電層(80)，對(duì)所述層間介電層(80)與柵極絕緣層(60)進(jìn)行圖形化處理，在所述層間介電層(80)與柵極絕緣層(60)中形成分別對(duì)應(yīng)于有源層(50)的源極接觸區(qū)(51)與漏極接觸區(qū)(52)的源極接觸孔(81)與漏極接觸孔(82)；

步驟S6、在所述層間介電層(80)上形成源極(91)與漏極(92)，所述源極(91)與漏極(92)分別通過(guò)源極接觸孔(81)與漏極接觸孔(82)和有源層(50)的源極接觸區(qū)(51)與漏極接觸區(qū)(52)相接觸；

所述第一時(shí)間段與第二時(shí)間段長(zhǎng)度相同，均為1分鐘至10分鐘，將所述待處理基板40在第二結(jié)晶溫度保溫的時(shí)間為30分鐘至120分鐘。

6.如權(quán)利要求5所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一結(jié)晶溫度為380-420℃，所述第二結(jié)晶溫度為630-670℃。

7.如權(quán)利要求5所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一時(shí)間段與第二時(shí)間段均為5分鐘，將所述待處理基板(40)在第二結(jié)晶溫度保溫的時(shí)間為60分鐘。

8.如權(quán)利要求5所述的低溫多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述待處理基板(40)按照恒定的升溫速率從第一結(jié)晶溫度逐漸升溫至第二結(jié)晶溫度，并按照恒定的降溫速率從第二結(jié)晶溫度逐漸降溫至第一結(jié)晶溫度，所述升溫速率與降溫速率相同。