[發明專利]柔性襯底基板及其制造方法、柔性面板、和電子設備有效
| 申請號: | 201810064676.5 | 申請日: | 2018-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN108257982B | 公開(公告)日: | 2021-01-29 |
| 發明(設計)人: | 朱小研;肖維康;王小芬 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/00;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 襯底 及其 制造 方法 面板 電子設備 | ||
本發明提供一種柔性襯底基板,所述柔性襯底基板包括至少一層柔性本體層和至少一層加強層,每層所述加強層對應一層所述柔性本體層,所述加強層設置在相應的柔性本體層表面或者嵌入在相應的柔性本體層內,且所述加強層的位置與所述功能區的位置相對應,并且所述加強層的剛度大于所述柔性本體層的剛度。本發明還提供一種柔性面板、一種電子設備、以及一種柔性襯底基板的制造方法。所述柔性面板在朝向其柔性基板一側彎曲時,可減輕對該柔性面板內的電子器件的損傷。
技術領域
本發明涉及半導體技術領域,更具體地,涉及一種用于柔性面板的柔性襯底基板、一種柔性面板、一種電子設備、及一種柔性襯底基板的制造方法。
背景技術
近年來已經開發出各種能夠彎曲的柔性面板(例如柔性顯示面板、柔性觸控面板等)。通常是在承載基板(例如耐高溫玻璃基板)上形成柔性襯底基板,柔性襯底基板與承載基板相鄰的一面一般稱之為底面,相對一面一般稱之為頂面。然后在柔性襯底基板的頂面上形成電子器件(例如薄膜晶體管、電阻、電容等)以及制作柔性面板的其他步驟,最后將柔性面板從承載基板上剝離下來。
由于使用者經常彎曲柔性面板,使用一段時間后,柔性面板中會產生斷線不良,因此,如何避免使用過程中出現斷線成為本領域亟待解決的技術問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種用于柔性面板的柔性襯底基板、一種包括該柔性襯底基板的柔性面板、一種包括該柔性面板電子設備、及一種該柔性襯底基板的制造方法。所述柔性面板在朝向其柔性襯底基板彎曲時,其中的電子器件受到損傷的幾率被降低。
為實現上述目的,作為本發明的第一個方面,提供一種用于柔性面板的柔性襯底基板,所述柔性襯底基板包括沿厚度方向間隔的頂面和底面,所述頂面包括用于設置電子器件層的功能區,其中,所述柔性襯底基板包括至少一層柔性本體層和至少一層加強層,每層所述加強層對應一層所述柔性本體層,所述加強層設置在相應的柔性本體層表面或者嵌入在相應的柔性本體層內,所述加強層的位置與所述功能區的位置相對應,并且所述加強層的剛度大于所述柔性本體層的剛度。
優選地,所述加強層為整面結構或網格結構。
優選地,所述柔性襯底基板還包括水汽阻擋層,至少一層柔性本體層的表面設置有所述水汽阻擋層。
優選地,所述柔性襯底基板包括多層所述加強層和多層所述柔性本體層,多層所述加強層與多層所述柔性本體層一一對應,所述加強層嵌入在相應的柔性本體層內。
優選地,所述柔性襯底基板包括多層所述加強層,沿所述柔性襯底基板的頂面到底面的方向,多層所述加強層的剛度依次減小。
優選地,所述功能區在所述加強層上的正投影不超過所述加強層的邊界。
作為本發明的第二個方面,提供一種柔性面板,所述柔性面板包括柔性襯底基板和設置在所述柔性襯底基板上的電子器件層,其特征在于,所述柔性襯底基板為本發明所提供的上述柔性襯底基板,所述電子器件層設置在所述柔性襯底基板的功能區中。
優選地,所述加強層的剛度小于所述電子器件層的剛度。
作為本發明的第三個方面,提供一種電子設備,所述電子設備包括柔性面板,其中,所述柔性面板為本發明所提供的上述柔性面板。
作為本發明的第四個方面,提供一種柔性襯底基板的制造方法,所述柔性襯底基板用于柔性面板,所述柔性襯底基板包括沿厚度方向間隔的頂面和底面,所述頂面包括用于設置電子器件層的功能區,其中,所述制造方法包括形成至少一層柔性本體層的步驟和形成至少一層加強層的步驟,其中,每層所述加強層對應一層所述柔性本體層,所述加強層設置在相應的柔性本體層表面或者嵌入在相應的柔性本體層內,且所述加強層的位置與所述功能區的位置相對應,并且所述加強層的剛度大于所述柔性本體層的剛度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





