[發明專利]晶片卡盤和處理裝置有效
| 申請號: | 201810064105.1 | 申請日: | 2018-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN108346614B | 公開(公告)日: | 2022-12-06 |
| 發明(設計)人: | W·達斯特爾;H·許特爾;M·卡恩;R·科格勒;J·施泰因布倫納 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/683 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
| 地址: | 德國瑙伊*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 卡盤 處理 裝置 | ||
本發明涉及晶片卡盤和處理裝置。根據各種實施例,一種晶片卡盤可以包括至少一個支撐區域,被配置為在容納區域中支撐晶片;中心空腔,由所述至少一個支撐區域圍繞,所述至少一個支撐區域被配置為僅沿著外周邊支撐晶片;以及邊界結構,圍繞所述容納區域,并且被配置為將晶片保持在所述容納區域中。
技術領域
各種實施例總體上涉及晶片卡盤和處理裝置。
背景技術
一般而言,可以在各種類型的處理工具中處理晶片。因此,晶片可以通過晶片卡盤定位在處理工具中。已經知道了各種類型的晶片卡盤。然而,常規使用的晶片卡盤可以被設計為物理地接觸晶片的背面,其中,晶片的主處理表面(也稱為正面)背向晶片卡盤。在處理工具中,可以根據需要處理晶片的正面。經由處理工具的處理可以包括等離子體中的處理,其中,晶片卡盤可以被配置為施加用于產生等離子體的偏置電壓和/或電壓的電極。
發明內容
根據各種實施例,晶片卡盤可以包括:至少一個支撐區域,被配置為在容納區域中支撐晶片;中心空腔,被所述至少一個支撐區域圍繞,所述至少一個支撐區域被配置為僅沿著外周邊支撐晶片;以及圍繞所述容納區域的邊界結構,被配置為將所述晶片保持在所述容納區域中。
附圖說明
在附圖中,在全部的不同視圖中,相似的附圖標記通常指代相同的部分。附圖不一定是按比例繪制的,而是通常將重點放在說明本發明的原理上。在以下描述中,參考以下附圖來描述本發明的各種實施例,其中:
圖1A和1B以示意性頂視圖和相應的橫截面圖示出了根據各種實施例的晶片卡盤;
圖1C以示意性橫截面圖示出了根據各種實施例的晶片卡盤和放置在晶片卡盤上的晶片;
圖1D以示意性橫截面圖示出了根據各種實施例的晶片卡盤;
圖2A和2B分別以示意性頂視圖示出了根據各種實施例的晶片卡盤;
圖3A和3B以示意性頂視圖和相應的橫截面圖示出了根據各種實施例的晶片卡盤;
圖3C以頂視圖像示出了根據各種實施例的處理工具中的晶片卡盤;
圖4A至圖4C以示意性橫截面圖示出了根據各種實施例的晶片卡盤和放置在晶片卡盤上的晶片;
圖5A至5C以示意性橫截面圖示出了根據各種實施例的晶片卡盤和放置在晶片卡盤上的晶片;
圖6示出了根據各種實施例的用于處理晶片的方法的示意性流程圖;
圖7示出了根據各種實施例的用于處理晶片的處理裝置的示意圖;以及
圖8A和8B以示意性頂視圖和相應的橫截面圖示出了根據各種實施例的將由晶片卡盤支撐的晶片。
具體實施方式
以下具體實施方式參照附圖,附圖以舉例說明的方式示出了可以實踐本發明的具體細節和實施例。足夠詳細地描述了這些實施例以使本領域技術人員能夠實踐本發明。可以利用其他實施例,并且可以在不脫離本發明的范圍的情況下進行結構、邏輯和電氣改變。各種實施例不一定是相互排斥的,因為一些實施例可以與一個或多個其他實施例組合以形成新的實施例。結合方法來描述各種實施例,并且結合設備來描述各種實施例。然而,可以理解,結合方法描述的實施例可以類似地應用于設備,反之亦然。
術語“至少一個”和“一個或多個”可以被理解為包括大于或等于1的任何整數,即一個、兩個、三個、四個等等。術語“多個”可以被理解為包括大于或等于二的任何整數,即兩個、三個、四個、五個等等。
關于一組元素的短語“至少一個”在本文中可以用于表示來自由元素組成的組中的至少一個元素。例如,關于一組元素的短語“至少一個”在本文中可以用于表示選擇:列出的元素之一、多個列出的元素之一、多個單獨列出的元素、或多個列出的元素中的多個。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





