[發(fā)明專利]晶片卡盤和處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810064105.1
• 申請日: 2018-01-23
• 公開（公告）號: CN108346614B
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: W·達(dá)斯特爾;H·許特爾;M·卡恩;R·科格勒;J·施泰因布倫納
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/683
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝;王英

1.一種晶片卡盤，包括：

基板，所述基板包括導(dǎo)電材料，以在所述基板處施加電壓以便產(chǎn)生電場；

至少一個支撐區(qū)域，所述至少一個支撐區(qū)域被配置為在容納區(qū)域中支撐晶片；

所述基板中的中心空腔，所述中心空腔由所述至少一個支撐區(qū)域圍繞，所述至少一個支撐區(qū)域被配置為僅沿著外周邊支撐所述晶片，其中所述中心空腔的底表面是彎曲的，并且所述底表面的表面曲率使得在所述晶片被放置在所述晶片卡盤上時所述底表面相對于所述晶片的面向所述晶片卡盤的或背向所述晶片卡盤的表面等距地布置；以及

圍繞所述容納區(qū)域的邊界結(jié)構(gòu)，所述邊界結(jié)構(gòu)被配置為將所述晶片保持在所述容納區(qū)域中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片卡盤，

其中，所述至少一個支撐區(qū)域包括支撐表面，所述支撐表面被配置為物理地接觸所述晶片的邊緣區(qū)域的邊緣表面區(qū)域，所述邊緣表面區(qū)域面向所述晶片卡盤。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片卡盤，

其中，所述邊界結(jié)構(gòu)限定要容納在所述容納區(qū)域中的所述晶片的最大直徑，并且其中，所述至少一個支撐區(qū)域限定要容納在所述容納區(qū)域中的所述晶片的最小直徑。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片卡盤，

其中，所述邊界結(jié)構(gòu)、所述中心空腔和所述至少一個支撐區(qū)域被同心地布置。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片卡盤，

其中，所述中心空腔包括設(shè)置在第一水平面處的底表面，所述第一水平面比所述支撐表面的第二水平面低。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片卡盤，

其中，所述中心空腔由單個凹陷區(qū)域提供。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片卡盤，還包括：

從所述晶片卡盤的外周邊延伸到所述晶片卡盤中的多個凹口。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片卡盤，

其中，所述多個凹口中的每一個凹口被配置為容納晶片處置器的處置銷以將所述晶片降低到所述容納區(qū)域中以及將所述晶片升高到所述容納區(qū)域之外。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片卡盤，還包括：

在與所述容納區(qū)域相對的一側(cè)處的安裝凸緣，用以將所述晶片卡盤安裝在處理工具中。

10.一種處理裝置，包括：

處理工具，所述處理工具用于在處理區(qū)域處理晶片；

晶片卡盤，所述晶片卡盤用以將晶片定位在所述處理工具中；所述晶片卡盤包括：

基板，所述基板包括導(dǎo)電材料，以在所述基板處施加電壓以便產(chǎn)生電場；

至少一個支撐區(qū)域，所述至少一個支撐區(qū)域被配置為在容納區(qū)域中支撐所述晶片；

所述基板中的中心空腔，所述中心空腔由所述至少一個支撐區(qū)域圍繞，所述至少一個支撐區(qū)域被配置為僅沿著外周邊支撐所述晶片，其中所述中心空腔的底表面是彎曲的，并且所述底表面的表面曲率使得在所述晶片被放置在所述晶片卡盤上時所述底表面相對于所述晶片的面向所述晶片卡盤的或背向所述晶片卡盤的表面等距地布置；以及

邊界結(jié)構(gòu)，所述邊界結(jié)構(gòu)圍繞所述容納區(qū)域，并且被配置為將所述晶片保持在所述容納區(qū)域中。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的處理裝置，

其中，所述處理工具是等離子體處理工具。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的處理裝置，

其中，所述晶片卡盤被配置為電極。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的處理裝置，還包括：

晶片處置器，所述晶片處置器用以將所述晶片降低到所述容納區(qū)域中以及將所述晶片升高到所述容納區(qū)域之外。