[發(fā)明專利]整平裝置和整平一待整平物的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810062070.8 | 申請日: | 2018-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN109671642A | 公開(公告)日: | 2019-04-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 呂銘漢;黃正維;王昱祺;黃泰源 | 申請(專利權(quán))人: | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
| 地址: | 中國臺灣高雄市楠梓*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 整平 放置平臺 溫度控制器 整平裝置 形變 壓制器 非接觸式 | ||
一種整平裝置包含放置平臺、第一溫度控制器和形變壓制器。所述放置平臺用以承接待整平物。所述第一溫度控制器用以控制所述放置平臺和所述待整平物的溫度。所述形變壓制器位于所述放置平臺和所述待整平物的上方,且提供至少一非接觸式的向下推力到所述待整平物。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種整平裝置和整平一待整平物的方法,特別涉及一種利用氣壓方式的整平裝置和整平方法。
背景技術(shù)
因應(yīng)市場需求的改變,電子產(chǎn)品除了被要求性能不斷提升外,在外觀上也被期望能朝向更輕薄短小發(fā)展。因此,在半導(dǎo)體工藝中,半導(dǎo)體元件(例如晶片,或包覆多個(gè)裸片的封裝材料)的厚度首當(dāng)其沖必須被減薄,最終產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的體積才有可能再縮小。然而,所述半導(dǎo)體元件本身已經(jīng)是非常薄,舉例來說,其最大寬度與厚度的比值通常為300、400或500以上。因此,所述半導(dǎo)體元件很容易產(chǎn)生較大的翹曲(warpage),而不易夾持,且影響工藝的準(zhǔn)確性和最終產(chǎn)品的良率。更為甚者,當(dāng)所述半導(dǎo)體元件被減薄后,其最大寬度與厚度的比值可能會超過1000,因而導(dǎo)致更大的翹曲。因此,如何有效地減少所述半導(dǎo)體元件的翹曲是一重要的課題。
發(fā)明內(nèi)容
在一或多個(gè)實(shí)施例中,一種整平裝置包含放置平臺、第一溫度控制器和形變壓制器。所述放置平臺用以承接待整平物。所述第一溫度控制器用以控制所述放置平臺和所述待整平物的溫度。所述形變壓制器位于所述放置平臺和所述待整平物的上方,且提供至少一非接觸式的向下推力到所述待整平物。
在一或多個(gè)實(shí)施例中,一種整平待整平物的方法包含下列步驟:(a)提供放置平臺;(b)將所述待整平物放置于所述放置平臺上;和(c)提供至少一非接觸式的向下推力到所述待整平物。
附圖說明
圖1描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的整平裝置的實(shí)例的局部立體示意圖,其中所述整平裝置為打開的狀態(tài)。
圖2描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的整平裝置的實(shí)例的剖視示意圖,其中所述整平裝置為閉合的狀態(tài),且所述整平裝置承載待整平物。
圖3描繪根據(jù)圖1和2的整平裝置的放置平臺的正視示意圖。
圖4描繪根據(jù)圖1和2的整平裝置的形變壓制器的正視示意圖。
圖5描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的整平裝置的實(shí)例的剖視示意圖。
圖6描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的放置平臺的正視示意圖。
圖7描繪圖6的放置平臺的剖面示意圖。
圖8描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的形變壓制器的正視示意圖。
圖9描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的放置平臺的正視示意圖。
圖10描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的形變壓制器的正視示意圖。
圖11描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的放置平臺的正視示意圖。
圖12描繪圖11的放置平臺的剖面示意圖。
圖13描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的待整平物的局部剖面示意圖。
圖14描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的待整平物的局部剖面示意圖。
圖15描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的待整平物的局部剖面示意圖。
圖16到19描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的整平待整平物的方法。
具體實(shí)施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





