[發(fā)明專利]整平裝置和整平一待整平物的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810062070.8 | 申請日: | 2018-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN109671642A | 公開(公告)日: | 2019-04-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 呂銘漢;黃正維;王昱祺;黃泰源 | 申請(專利權(quán))人: | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
| 地址: | 中國臺灣高雄市楠梓*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 整平 放置平臺 溫度控制器 整平裝置 形變 壓制器 非接觸式 | ||
1.一種整平裝置,包含:
放置平臺,用以承接待整平物;
第一溫度控制器,用以控制所述放置平臺和所述待整平物的溫度;和
形變壓制器,位于所述放置平臺和所述待整平物的上方,且提供至少一非接觸式的向下推力到所述待整平物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整平裝置,其中所述放置平臺具有至少一吸附孔,以吸住所述待整平物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的整平裝置,其中所述放置平臺更具有至少一第一氣體通道,所述至少一第一氣體通道與所述至少一吸附孔相連通。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的整平裝置,更包含第一氣體控制器,連通所述第一氣體通道,用以對所述第一氣體通道內(nèi)的氣體提供抽氣力或是吹氣力。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的整平裝置,其中所述第一氣體控制器為空氣幫浦。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整平裝置,其中所述形變壓制器具有至少一吹氣孔,所述非接觸式的向下推力為吹氣力。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的整平裝置,其中所述形變壓制器更具有至少一第二氣體通道,所述至少一第二氣體通道與所述至少一吹氣孔相連通。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的整平裝置,更包含第二氣體控制器,連通所述第二氣體通道,用以提供被加壓氣體到所述第二氣體通道。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的整平裝置,其中所述第二氣體控制器為空氣幫浦。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的整平裝置,更包含第二溫度控制器,用以控制所述吹氣孔的氣體的溫度。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的整平裝置,其中所述形變壓制器具有多個吹氣孔,所述吹氣孔開口于所述形變壓制器的表面,且由所述形變壓制器的中心到所述形變壓制器的外圍呈現(xiàn)放射狀分布。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的整平裝置,其中所述吹氣孔的孔徑小于或等于2mm。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的整平裝置,其中所述形變壓制器具有多個吹氣孔,所述放置平臺具有多個吸附孔,每一吹氣孔的位置對應(yīng)每一吸附孔的位置。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整平裝置,其中所述形變壓制器可相對于所述放置平臺升降。
15.一種整平待整平物的方法,包含下列步驟:
(a)提供放置平臺;
(b)將所述待整平物放置于所述放置平臺上;和
(c)提供至少一非接觸式的向下推力到所述待整平物。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,其中所述步驟(a)更包含預(yù)熱所述放置平臺的步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,其中所述步驟(b)之后更包含透過所述放置平臺對所述待整平物進(jìn)行加熱的步驟。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,其中所述步驟(b)中,其中所述放置平臺吸住所述待整平物的下表面。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,其中所述步驟(c)中,所述非接觸式的向下推力為吹氣力,其施向所述待整平物的上表面。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其中形成所述吹氣力的氣體的溫度大致等于所述待整平物的溫度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





