[發明專利]一種導熱耐老化電子設備外殼材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201810061459.0
• 申請日: 2018-01-23
• 公開（公告）號: CN108285621A
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發明（設計）人: 吳青明
• 申請（專利權）人: 合肥思博特軟件開發有限公司
• 主分類號: C08L67/02
• 分類號: C08L67/02;C08L77/00;C08L23/06;C08L79/08;C08K13/06;C08K9/06;C08K9/04;C08K3/36;C08K5/523
• 代理公司: 合肥道正企智知識產權代理有限公司 34130
• 代理人: 武金花

本發明公開了一種導熱耐老化電子設備外殼材料及其制備方法，涉及電子設備應用材料領域，該材料包括以下按重量份計的原料：PBT樹脂、尼龍6T纖維、低密度聚乙烯、聚醚酰亞胺、甲基丙烯酸甲酯、十溴二苯乙烷、乙基三甲氧基硅烷、改性納米二氧化硅、液態阻燃劑、無機填料、抗靜電劑和防老劑。其制備方法是通過對原料的混熔、脫泡、注模、固化燒結制得的。該種電子設備外殼材料制備簡單方便、原料成本低廉，利用其材料制得的電子設備外殼不僅具有良好的導熱性和耐老化性，而且在具備質輕的同時也能具有較高的力學強度和低收縮率，應用廣泛。

技術領域

本發明涉及電子設備應用材料領域，具體涉及一種導熱耐老化電子設備外殼材料及其制備方法。

背景技術

電子設備的外殼材料通常為丙烯腈-丁二烯-苯乙烯塑料(ABS)、ABS工程塑料(PC+ABS)、高抗沖聚苯乙烯(HIPS)等，ABS、PC+ABS等材料的尺寸穩定性、耐沖擊性、加工流動性優良，然而密度在1.15g/cm³以上，質量重，并且成本高。HIPS是通過在聚苯乙烯(PS)中添加丁苯或順丁橡膠改性而成，其成本低，易成型加工，然而該材料的阻燃性差、并且收縮率高，利用其制備的電子設備外殼在可靠性試驗、環境試驗中變形量加大，不僅影響電子設備的外觀，甚至還可能會引起外殼開裂，因此使用和應用范圍受到限制。如何獲得成型溫度低、制備簡單方便、成本低廉、加工性能以及綜合性能良好，特別是同時具有良好的導熱性和耐老化性、低收縮率且質輕的外殼材料成為亟待解決的問題。

發明內容

針對現有技術中存在的問題，本發明提供了一種導熱耐老化電子設備外殼材料及其制備方法，該種電子設備外殼材料制備簡單方便、原料成本低廉，利用其材料制得的電子設備外殼不僅具有良好的導熱性和耐老化性，而且在具備質輕的同時也能具有較高的力學強度和低收縮率，應用廣泛。

為了達到上述目的，本發明通過以下技術方案來實現的：

一種導熱耐老化電子設備外殼材料，包括以下按重量份計的原料：PBT樹脂40-50份、尼龍6T纖維10-20份、低密度聚乙烯20-30份、聚醚酰亞胺5-15份、甲基丙烯酸甲酯6-10份、十溴二苯乙烷4-8份、乙基三甲氧基硅烷3-5份、改性納米二氧化硅10-20份、液態阻燃劑1-5份、無機填料3-5份、抗靜電劑1-3份和防老劑1-3份；

上述的改性納米二氧化硅包括以下按重量份計的成分制得：納米二氧化硅10-20份、丙二醇1-3份和去離子水10-20份；其制備方法如下：先將納米二氧化硅、丙二醇和的去離子水加入至容器中超聲波分散處理50-60min，再加入相當于納米二氧化硅質量1-2％的KH-570硅烷偶聯劑和1-3％的油酸混合均勻，繼續超聲波分散處理40-50min后，將分散液置于反應容器中水浴加熱至88-94℃，冷凝回流4-6h，反應結束后烘干研磨至150-250目篩，即制得本發明原料所需的改性納米二氧化硅。

進一步地，上述材料包括以下按重量份計的原料：PBT樹脂45份、尼龍6T纖維15份、低密度聚乙烯25份、聚醚酰亞胺10份、甲基丙烯酸甲酯8份、十溴二苯乙烷6份、乙基三甲氧基硅烷4份、改性納米二氧化硅15份、液態阻燃劑3份、無機填料4份、抗靜電劑2份和防老劑2份。

進一步地，上述改性納米二氧化硅包括以下按重量份計的成分制得：納米二氧化硅15份、丙二醇2份和去離子水15份；其制備方法如下：先將納米二氧化硅、丙二醇和的去離子水加入至容器中超聲波分散處理55min，再加入相當于納米二氧化硅質量1.5％的KH-570硅烷偶聯劑和2％的油酸混合均勻，繼續超聲波分散處理45min后，將分散液置于反應容器中水浴加熱至91℃，冷凝回流5h，反應結束后烘干研磨至1200目篩，即制得本發明原料所需的改性納米二氧化硅。

優選地，上述液態阻燃劑采用叔丁基化芳基磷酸酯。

優選地，上述無機填料采用高嶺土、硅藻土或者鈉基膨潤土中的一種，且無機填料的粒徑小于等于80μm。