[發(fā)明專利]透明導電體結(jié)構及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810058908.6
• 申請日: 2018-01-22
• 公開（公告）號: CN109872833A
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發(fā)明（設計）人: 禹慶槿;楊志方;吳明坤
• 申請（專利權）人: 富元精密科技股份有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 上海元好知識產(chǎn)權代理有限公司 31323
• 代理人: 賈慧琴

本發(fā)明提供了一種透明導電體結(jié)構，其包含：基板與依序?qū)盈B于基板上的第一透明導電圖案、透明絕緣層、第二透明導電圖案以及消影層，該消影層包含：具有第一折射率且直接位于第二透明導電圖案上的第一消影層；以及具有大于第一折射率的第二折射率且位于第一消影層上的第二消影層，其中第一透明導電圖案及第二透明導電圖案是由以下方法形成：分別形成第一非晶導電膜及第二非晶導電膜于基板與透明絕緣層上；蝕刻第一非晶導電膜及第二非晶導電膜以形成第一非晶導電圖案及第二非晶導電圖案；以及結(jié)晶化第一非晶導電圖案及第二非晶導電圖案以形成第一透明導電圖案及第二透明導電圖案。

技術領域

本發(fā)明涉及一種透明導電體結(jié)構及其制造方法，尤其涉及一種具有更佳的光學及電學特性的透明導電體結(jié)構及其制造方法。

背景技術

近年來隨著光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展，透明導電薄膜被廣泛的研究及使用。透明導電薄膜，顧名思義，為兼具透明性及導電性的薄膜，其在可見光波長范圍(400～800nm)內(nèi)具有80％以上的透光率且具有低于1×10^-3Ω·cm的電阻率。透明導電薄膜的材料大致可以分成薄金屬材料與透明導電氧化物。

包含薄金屬材料的透明導電薄膜因為膜層較薄，難以連續(xù)地形成于基板上，導致薄膜的電阻值升高，且其在空氣中容易氧化，使透明導電薄膜的電阻值發(fā)生變化，降低透明導電薄膜的可靠性。因此目前多使用包含透明導電氧化物的透明導電薄膜來代替包含薄金屬材料的透明導電薄膜，以提升透明導電薄膜的光學及電學特性與可靠性。

同時為進一步提升包含透明導電氧化物的透明導電薄膜的光學透明性及導電性，傳統(tǒng)上多以高溫形成結(jié)晶型透明導電氧化物。然而結(jié)晶型透明導電氧化物因為其結(jié)構特性而難以蝕刻，因此難以獲得精密的透明導電圖案。進一步地，結(jié)晶型透明導電氧化物雖然具有較高的光學透明度，但其并非完全透明，從而在堆棧多層而形成透明導電體之后，有可能被使用者觀察到。

綜上所述，需要一種精密的透明導電圖案以及具有較佳的光學透明度的透明導電體。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種透明導電體結(jié)構，其包含：基板；位于基板上的第一透明導電圖案；位于第一透明導電圖案上的第二透明導電圖案；位于第一透明導電圖案及第二透明導電圖案之間以使第一透明導電圖案與第二透明導電圖案彼此絕緣的透明絕緣層；以及覆蓋第一透明導電圖案與第二透明導電圖案的消影層，該消影層包含：具有第一折射率且直接位于第二透明導電圖案上的第一消影層；以及具有大于第一折射率的第二折射率且位于第一消影層上的第二消影層。其中，第一透明導電圖案及第二透明導電圖案是由以下方法形成：分別形成第一非晶導電膜及第二非晶導電膜于基板與透明絕緣層上；蝕刻第一非晶導電膜及第二非晶導電膜以形成第一非晶導電圖案及第二非晶導電圖案；以及結(jié)晶化第一非晶導電圖案及第二非晶導電圖案以形成第一透明導電圖案及第二透明導電圖案。

較佳者，第一非晶導電膜及第二非晶導電膜可各獨立地包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、SnO₂、ZnO、氟摻雜氧化錫(FTO)、氧化鋁鋅(AZO)或其任意組合。

較佳者，結(jié)晶化的步驟可對第一非晶導電圖案及第二非晶導電圖案進行熱處理。

較佳者，第一非晶導電膜及第二非晶導電膜的厚度可各獨立地為50nm至200nm。

較佳者，透明絕緣層可包含介電質(zhì)材料。

較佳者，第二消影層可包含TiO₂、Nb₂O₅、SiN₄或其任意組合。

較佳者，第一消影層可包含SiO₂。