[發明專利]透明導電體結構及其制造方法在審
| 申請號： | 201810058908.6 | 申請日： | 2018-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN109872833A | 公開（公告）日： | 2019-06-11 |
| 發明（設計）人： | 禹慶槿;楊志方;吳明坤 | 申請（專利權）人： | 富元精密科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01B5/14 | 分類號： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 上海元好知識產權代理有限公司 31323 | 代理人： | 賈慧琴 |
| 地址： | 中國臺灣桃園縣觀音鄉*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 透明導電圖案 非晶 消影層 導電圖案 導電膜 折射率 基板 透明導電體 透明絕緣層 蝕刻 結晶化 制造 | ||
1.一種透明導電體結構，其特征在于，所述的結構包含：
基板；
第一透明導電圖案，位于所述的基板上；
第二透明導電圖案，位于所述的第一透明導電圖案上；
透明絕緣層，位于所述的第一透明導電圖案及所述的第二透明導電圖案之間以使所述的第一透明導電圖案與所述的第二透明導電圖案彼此絕緣；以及
消影層，覆蓋所述的第一透明導電圖案與所述的第二透明導電圖案，該消影層包含：
第一消影層，具有第一折射率且直接位于所述的第二透明導電圖案上；以及
第二消影層，具有大于所述的第一折射率的第二折射率且位于所述的第一消影層上，
其中所述的第一透明導電圖案及所述的第二透明導電圖案是由以下方法形成：
分別形成第一非晶導電膜及第二非晶導電膜于所述的基板與所述的透明絕緣層上；
蝕刻所述的第一非晶導電膜及所述的第二非晶導電膜以形成第一非晶導電圖案及第二非晶導電圖案；以及
結晶化所述的第一非晶導電圖案及所述的第二非晶導電圖案以形成所述的第一透明導電圖案及所述的第二透明導電圖案。
2.如權利要求1所述的透明導電體結構，其特征在于，所述的第一非晶導電膜及所述的第二非晶導電膜各獨立地包含氧化銦錫、氧化銦鋅、SnO2、ZnO、氟摻雜氧化錫、氧化鋁鋅或其任意組合。
3.如權利要求1所述的透明導電體結構，其特征在于，所述的結晶化的步驟是對所述的第一非晶導電圖案及所述的第二非晶導電圖案進行熱處理。
4.如權利要求1所述的透明導電體結構，其特征在于，所述的第一非晶導電膜及所述的第二非晶導電膜的厚度各獨立地為50nm～200nm。
5.如權利要求1所述的透明導電體結構，其特征在于，所述的透明絕緣層包含介電質材料。
6.如權利要求5所述的透明導電體結構，其特征在于，所述的第二消影層包含TiO2、Nb2O5、SiN4或其任意組合。
7.如權利要求6所述的透明導電體結構，其特征在于，所述的第一消影層包含SiO2。
8.一種透明導電體結構的制造方法，其特征在于，所述的方法包含：
提供基板；
形成第一非晶導電膜在所述的基板上；
蝕刻所述的第一非晶導電膜以形成第一非晶導電圖案；
結晶化所述的第一非晶導電圖案以形成第一透明導電圖案；
形成透明絕緣層于所述的第一透明導電圖案上；
形成第二非晶導電膜在所述的透明絕緣層上；
蝕刻所述的第二非晶導電膜以形成第二非晶導電圖案；
結晶化所述的第二非晶導電圖案以形成第二透明導電圖案；以及
形成消影層于所述的第二透明導電圖案上，
其中所述的消影層包含：
第一消影層，具有第一折射率且直接位于所述的第二透明導電圖案上；以及
第二消影層，具有大于所述的第一折射率的第二折射率且位于所述的第一消影層上。
9.如權利要求8所述的透明導電體結構的制造方法，其特征在于，所述的第一非晶導電膜及所述的第二非晶導電膜的厚度各獨立地為50nm～200nm。
10.如權利要求9所述的透明導電體結構的制造方法，其特征在于，所述的結晶化的步驟是對所述的第一非晶導電圖案及所述的第二非晶導電圖案進行熱處理。
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