[發(fā)明專利]具有改善的電力輸送的嵌入式多管芯互連橋

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810058578.0
• 申請日: 2018-01-22
• 公開（公告）號: CN108461478A
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H·劉;K·S·吳
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/48;H01L25/18;H01L21/60
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝;王英

提供了具有多個(gè)集成電路管芯的集成電路封裝。多芯片封裝可以包括使用所述多芯片封裝的基底中的嵌入式多管芯互連橋(EMIB)進(jìn)行通信的至少兩個(gè)集成電路管芯。EMIB可以接收形成在所述EMIB的背面的耦合到在其上安裝所述EMIB的背面導(dǎo)體的接觸焊盤處的功率。所述背面導(dǎo)體可以被分成多個(gè)區(qū)域，所述多個(gè)區(qū)域彼此電隔離并且均接收來自印刷電路板的不同電源電壓信號或數(shù)據(jù)信號。這些電源電壓信號和數(shù)據(jù)信號可以通過形成在所述EMIB中的內(nèi)部微過孔或穿硅過孔被提供到所述兩個(gè)集成電路管芯。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開總體上涉及集成電路封裝，并且更具體而言，涉及具有連接多于一個(gè)集成電路管芯的嵌入式多管芯互連橋(EMIB)的集成電路封裝。

背景技術(shù)

集成電路封裝通常包括集成電路管芯和在上面安裝管芯的基底。管芯可以通過接合線或者焊接凸點(diǎn)耦合至基底。因而，來自集成電路管芯的信號可以通過接合線或者焊接凸點(diǎn)傳輸至基底。

隨著對集成電路技術(shù)的需求不斷地超越持續(xù)降低的器件尺寸所能夠給予的增益，越來越多的應(yīng)用需要集成度已經(jīng)超過了在單個(gè)硅管芯中可能達(dá)到的集成度的封裝解決方案。在為了滿足這種需求的嘗試中，可以將多于一個(gè)管芯置于單個(gè)集成電路封裝(即，多芯片封裝)內(nèi)。由于不同類型的器件迎合不同類型的應(yīng)用的需求，因而在一些系統(tǒng)中可能需要更多的管芯來滿足高性能應(yīng)用的需要。相應(yīng)地，為了獲得更高的性能和更高的密度，集成電路封裝可以包括沿同一平面橫向布置的多個(gè)管芯。

EMIB是有時(shí)被嵌入到多芯片封裝的基底中的小硅管芯，并且用于對該多芯片封裝內(nèi)的集成電路管芯進(jìn)行互連。傳統(tǒng)上，這些EMIB與其它內(nèi)插器技術(shù)(例如，硅內(nèi)插器)相比具有有限的電力輸送能力。

在該語境下，出現(xiàn)了文中描述的實(shí)施例。

發(fā)明內(nèi)容

一種集成電路封裝可以包括封裝基底以及安裝在所述封裝基底上的一個(gè)或多個(gè)集成電路管芯。所述封裝基底可以包括嵌入所述封裝基底內(nèi)的嵌入式多管芯互連橋(EMIB)。EMIB是可以用于將多芯片封裝中的兩個(gè)集成電路互連的硅管芯。安裝在所述封裝基底上的集成電路管芯可以通過所述EMIB相互通信。所述EMIB可以具有面對所述集成電路管芯的正面以及與所述正面相對的背面。所述封裝基底可以包括從所述EMIB的背面電耦合至所述EMIB并向所述EMIB供應(yīng)電力的導(dǎo)電路徑。所述封裝基底可以被安裝在印刷電路板上，所述印刷電路板通過所述導(dǎo)電路徑向所述EMIB提供電力。

所述封裝基底還可以包括在上面安裝所述EMIB的導(dǎo)電層(例如，背面導(dǎo)體)。所述導(dǎo)電路徑可以連接至所述導(dǎo)電層，并且可以通過所述導(dǎo)電層向所述EMIB提供電力。在將EMIB安裝到所述導(dǎo)電層上之前可以將圖案化的粘合層施加到所述導(dǎo)電層上，并且所述圖案化的粘合層可以包括容納形成于所述EMIB的背面的導(dǎo)電焊盤(例如，接觸焊盤)的開口。換言之，一旦EMIB被安裝到所述導(dǎo)電層上，那么所述圖案化的粘合層就可以橫向圍繞形成于所述EMIB的背面的導(dǎo)電焊盤。可以在所述EMIB的正面形成附加接觸焊盤。

所述封裝基底可以包括直接連接至形成于所述EMIB的正面的接觸焊盤的第一過孔，并且可以包括通過所述導(dǎo)電層耦合至形成于所述EMIB的背面的接觸焊盤的第二過孔。所述第二過孔可以具有大于所述第一過孔的直徑的直徑。

所述EMIB可以包括耦合至集成電路管芯的導(dǎo)電布線跡線(例如，互連)。形成于所述EMIB中的微過孔可以耦合在形成于所述EMIB的背面的導(dǎo)電焊盤的其中之一與所述導(dǎo)電布線跡線之間。電源電壓信號或數(shù)據(jù)信號可以通過所述微過孔被提供到所述導(dǎo)電布線跡線。

所述EMIB可以包括從所述EMIB的背面延伸至所述EMIB的正面的多個(gè)穿硅過孔。這些穿硅過孔可以用于通過所述EMIB將電源信號或者數(shù)據(jù)信號從所述導(dǎo)電路徑傳送至所述集成電路管芯。

所述導(dǎo)電層可以包括相互電隔離的多個(gè)導(dǎo)電區(qū)域。所述導(dǎo)電層的每個(gè)區(qū)域可以接收與所述導(dǎo)電層的每個(gè)其它區(qū)域不同的電源電壓信號或數(shù)據(jù)信號。