[發(fā)明專利]一種有效抑制雙極性電流的雙柵隧穿場效應(yīng)晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810058240.5
• 申請日: 2018-01-22
• 公開（公告）號: CN108389896B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝倩;劉明軍;王政
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號: H01L29/08
• 分類號: H01L29/08;H01L29/10;H01L29/739
• 代理公司: 電子科技大學(xué)專利中心 51203
• 代理人: 吳姍霖

1.一種有效抑制雙極性電流的雙柵隧穿場效應(yīng)晶體管，包括源區(qū)(110)、溝道區(qū)(111)、漏區(qū)(112)、第一溝道區(qū)氧化層(113)、第二溝道區(qū)氧化層(115)、第一漏區(qū)氧化層(114)、第二漏區(qū)氧化層(116)、頂部柵電極(117)、底部柵電極(118)、源電極(119)和漏電極(120)，所述第一溝道區(qū)氧化層覆蓋溝道區(qū)上表面部分區(qū)域，第二溝道區(qū)氧化層覆蓋溝道區(qū)下表面部分區(qū)域，第一漏區(qū)氧化層覆蓋在溝道區(qū)中未被第一溝道區(qū)氧化層覆蓋的溝道區(qū)上表面和部分漏區(qū)上表面，第二漏區(qū)氧化層覆蓋在溝道區(qū)中未被第二溝道區(qū)氧化層覆蓋的溝道區(qū)下表面和部分漏區(qū)下表面，第一溝道區(qū)氧化層和第一漏區(qū)氧化層上方覆蓋頂部柵電極，第二溝道區(qū)氧化層和第二漏區(qū)氧化層下方覆蓋底部柵電極，第一漏區(qū)氧化層(114)的厚度比第一溝道區(qū)氧化層(113)的厚度厚，第二漏區(qū)氧化層(116)的厚度比第二溝道區(qū)氧化層(115)的厚度厚；所述第一溝道區(qū)氧化層的左邊界與溝道區(qū)的左邊界重合，第二溝道區(qū)氧化層的左邊界與溝道區(qū)的左邊界重合；所述第一溝道區(qū)氧化層的右邊界與第一漏區(qū)氧化層的左邊界重合，第二溝道區(qū)氧化層的右邊界與第二漏區(qū)氧化層的左邊界重合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有效抑制雙極性電流的雙柵隧穿場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第一溝道區(qū)氧化層和第二溝道區(qū)氧化層的右邊界與溝道區(qū)的右邊界之間的距離D滿足：0＜D＜溝道區(qū)長度的一半。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有效抑制雙極性電流的雙柵隧穿場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第一漏區(qū)氧化層和第二漏區(qū)氧化層的右邊界與漏區(qū)的左邊界之間的距離L滿足：0＜L＜漏區(qū)的長度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有效抑制雙極性電流的雙柵隧穿場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第一溝道區(qū)氧化層、第二溝道區(qū)氧化層、第一漏區(qū)氧化層和第二漏區(qū)氧化層的材料為二氧化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有效抑制雙極性電流的雙柵隧穿場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述雙柵隧穿場效應(yīng)晶體管，對于N型雙柵隧穿場效應(yīng)晶體管，源區(qū)為P型重?fù)诫s，漏區(qū)為N型重?fù)诫s，溝道區(qū)為N型輕摻雜；對于P型雙柵隧穿場效應(yīng)晶體管，源區(qū)為N型重?fù)诫s，漏區(qū)為P型重?fù)诫s，溝道區(qū)為P型輕摻雜。