[發(fā)明專利]薄膜晶體管、其制備方法、陣列基板及顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810058206.8
• 申請日: 2018-01-22
• 公開（公告）號: CN108258021A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 彭俊林;王東方;王玉亮;劉增利
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管、其制備方法、陣列基板及顯示裝置，通過在由金屬氧化物半導(dǎo)體材料制備的有源層中摻入氧離子與氫離子，調(diào)控有源層的閾值電壓。在制備薄膜晶體管時，各子刻蝕阻擋層是采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝分步沉積得到的，以在沉積各子刻蝕阻擋層時選擇性的使金屬氧化物半導(dǎo)體材料摻入氧離子和氫離子，從而調(diào)控金屬氧化物半導(dǎo)體材料中摻入氧離子的量和摻入氫離子的量。這樣可以在不增加額外的摻雜工藝的情況下，使金屬氧化物半導(dǎo)體材料摻入氧離子和氫離子，從而可以降低工藝制備難度，降低制備成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管、其制備方法、陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示器具有低能耗、生產(chǎn)成本低、自發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點，已成為顯示行業(yè)的研究熱點之一。由于OLED屬于電流驅(qū)動，需要穩(wěn)定的電流來控制其發(fā)光。因此OLED顯示器中一般設(shè)置像素電路以驅(qū)動OLED發(fā)光。一般像素電路由多個薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)組成，以產(chǎn)生驅(qū)動電流驅(qū)動OLED發(fā)光。而驅(qū)動電流與薄膜晶體管的閾值電壓V_th相關(guān)，因此在實際應(yīng)用中，一般是根據(jù)不同應(yīng)用環(huán)境的需求，在制備薄膜晶體管時，對薄膜晶體管的有源層進行額外的摻雜工藝，以將薄膜晶體管的閾值電壓V_th進行相應(yīng)設(shè)計，使閾值電壓控制在一定大小范圍內(nèi)以滿足應(yīng)用需求，這使得薄膜晶體管的制備工藝較為繁瑣，制備成本較高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管、其制備方法、陣列基板及顯示裝置，用以降低制備工藝復(fù)雜度、降低成本。

因此，本發(fā)明實施例提供了一種薄膜晶體管，包括：襯底基板，位于所述襯底基板上的有源層、覆蓋所述有源層的刻蝕阻擋層、通過貫穿所述刻蝕阻擋層的過孔與所述有源層電連接的源漏極；所述刻蝕阻擋層包括層疊設(shè)置的至少兩層子刻蝕阻擋層，所述有源層包括摻入氧離子和氫離子的金屬氧化物半導(dǎo)體材料。

可選地，在本發(fā)明實施例提供的上述薄膜晶體管中，各所述子刻蝕阻擋層為二氧化硅層。

可選地，在本發(fā)明實施例提供的上述薄膜晶體管中，所述金屬氧化物半導(dǎo)體材料包括：氧化銦鎵鋅。

可選地，在本發(fā)明實施例提供的上述薄膜晶體管中，所述氧化銦鎵鋅中摻入氧離子的量大于零且小于0.1％，所述氧化銦鎵鋅中摻入氫離子的量大于零且小于0.01％。

相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，包括：本發(fā)明實施例提供的上述任一種薄膜晶體管。

相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括：本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板。

相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了一種薄膜晶體管的制備方法，包括：

在襯底基板上形成有源層的圖形；其中，所述有源層包括金屬氧化物半導(dǎo)體材料；

分別采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝，在所述有源層上形成覆蓋所述有源層且層疊設(shè)置的至少兩層子刻蝕阻擋層以及貫穿各所述子刻蝕阻擋層的過孔的圖形，以形成刻蝕阻擋層以及使所述金屬氧化物半導(dǎo)體材料摻入氧離子和氫離子；

在所述刻蝕阻擋層上形成通過貫穿所述刻蝕阻擋層的過孔與所述有源層電連接的源漏極。

可選地，在本發(fā)明實施例提供的上述制備方法中，所述形成刻蝕阻擋層以及使所述金屬氧化物半導(dǎo)體材料摻入氧離子和氫離子，具體包括：