[發明專利]薄膜晶體管、其制備方法、陣列基板及顯示裝置

在審

• 申請號: 201810058206.8
• 申請日: 2018-01-22
• 公開（公告）號: CN108258021A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 彭俊林;王東方;王玉亮;劉增利
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種薄膜晶體管，包括：襯底基板，位于所述襯底基板上的有源層、覆蓋所述有源層的刻蝕阻擋層、通過貫穿所述刻蝕阻擋層的過孔與所述有源層電連接的源漏極；其特征在于，所述刻蝕阻擋層包括層疊設置的至少兩層子刻蝕阻擋層，所述有源層包括摻入氧離子和氫離子的金屬氧化物半導體材料。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，各所述子刻蝕阻擋層為二氧化硅層。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物半導體材料包括：氧化銦鎵鋅。

4.如權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化銦鎵鋅中摻入氧離子的量大于零且小于0.1％，所述氧化銦鎵鋅中摻入氫離子的量大于零且小于0.01％。

5.一種陣列基板，其特征在于，包括：如權利要求1-4任一項所述的薄膜晶體管。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括：如權利要求5所述的陣列基板。

7.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成有源層的圖形；其中，所述有源層包括金屬氧化物半導體材料；

分別采用等離子體增強化學氣相沉積工藝，在所述有源層上形成覆蓋所述有源層且層疊設置的至少兩層子刻蝕阻擋層以及貫穿各所述子刻蝕阻擋層的過孔的圖形，以形成刻蝕阻擋層以及使所述金屬氧化物半導體材料摻入氧離子和氫離子；

在所述刻蝕阻擋層上形成通過貫穿所述刻蝕阻擋層的過孔與所述有源層電連接的源漏極。

8.如權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述形成刻蝕阻擋層以及使所述金屬氧化物半導體材料摻入氧離子和氫離子，具體包括：

分別采用所述等離子體增強化學氣相沉積工藝，充入N₂O與SiH₄，并在功率為4000～20000W、極板間距為550～1100mils、腔體壓力為700～2000m Torr、沉積時間為30～120s的條件下，在所述金屬氧化物半導體材料上形成覆蓋所述有源層的至少兩層二氧化硅層以及貫穿各所述二氧化硅層的過孔的圖形，并使所述金屬氧化物半導體材料中摻入氧離子和氫離子。