[發明專利]用于功率半導體芯片的檢測方法有效
| 申請號： | 201810058136.6 | 申請日： | 2018-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN108231619B | 公開（公告）日： | 2020-05-19 |
| 發明（設計）人： | 黃昌民;詹小勇;張站東 | 申請（專利權）人： | 無錫昌德微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人： | 程爽 |
| 地址： | 214028 江蘇省無錫市新吳*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 功率 半導體 芯片 檢測 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于功率半導體芯片的檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)將被測產品在圖示儀上進行反向擊穿電壓測試，測出被測產品能夠承受的極限電流；
(2)在被測產品能夠承受的極限電流數值范圍內選擇測試電流；
(3)在所述反向擊穿電壓測試中設定選擇的測試電流，做小批量測試調試，根據被測產品的合格率分析被測產品的最終測試電流值；
(4)采用被測產品的所述最終測試電流值對被測產品進行所述反向擊穿電壓測試。
2.如權利要求1所述的用于功率半導體芯片的檢測方法，其特征在于，被測產品的所述最終測試電流值為常規反向擊穿電壓測試的電流的50-200倍。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
