[發(fā)明專利]用于功率半導(dǎo)體芯片的檢測方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810058136.6
• 申請(qǐng)日: 2018-01-22
• 公開（公告）號(hào): CN108231619B
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃昌民;詹小勇;張站東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫昌德微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 北京國昊天誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 程爽

本發(fā)明提供一種用于功率半導(dǎo)體芯片的檢測方法，包括如下步驟：(1)將被測產(chǎn)品在圖示儀上進(jìn)行反向擊穿電壓測試，測出被測產(chǎn)品能夠承受的極限電流；(2)在被測產(chǎn)品能夠承受的極限電流數(shù)值范圍內(nèi)選擇測試電流；(3)在反向擊穿電壓測試程序中設(shè)定選擇的測試電流，做小批量測試調(diào)試，根據(jù)被測產(chǎn)品的合格率分析被測產(chǎn)品的最終測試電流值；(4)采用被測產(chǎn)品的所述最終測試電流值對(duì)被測產(chǎn)品進(jìn)行所述反向擊穿電壓測試。本發(fā)明可以檢測出帶有芯片正表面劃傷、芯片邊緣缺損、焊料外溢和金屬引線中部到框架底板的距離過低等缺陷的產(chǎn)品。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體測試方法，具體涉及一種用于功率半導(dǎo)體芯片的檢測方法。

背景技術(shù)

在功率電子器件中，經(jīng)常使用半導(dǎo)體芯片，在使用半導(dǎo)體芯片之前，需要知曉半導(dǎo)體芯片模塊或各個(gè)半導(dǎo)體芯片的性能是否正常以及它們是否滿足預(yù)定的性能標(biāo)準(zhǔn)。在功率半導(dǎo)體的實(shí)際封裝工藝過程中，對(duì)芯片的正表面和邊緣的結(jié)構(gòu)完整性有較高的要求，不可能做到100％滿足產(chǎn)品工藝要求，這樣就導(dǎo)致出現(xiàn)一定比例的缺陷產(chǎn)品，比如芯片正表面劃傷、芯片邊緣缺損、金屬引線焊接焊料外溢到芯片邊緣和金屬引線中部到框架底板的距離過低等，然而這些缺陷采用普通的半導(dǎo)體芯片檢測方法是無法檢測出來的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種用于功率半導(dǎo)體芯片的檢測方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的不能檢測出帶有芯片正表面劃傷、芯片邊緣缺損、焊料外溢和金屬引線中部到框架底板的距離過低等缺陷的產(chǎn)品的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種用于功率半導(dǎo)體芯片的檢測方法，包括如下步驟：

(1)將被測產(chǎn)品在圖示儀上進(jìn)行反向擊穿電壓測試，測出被測產(chǎn)品能夠承受的極限電流；

(2)在被測產(chǎn)品能夠承受的極限電流數(shù)值范圍內(nèi)選擇測試電流；

(3)在反向擊穿電壓測試程序中設(shè)定選擇的測試電流，做小批量測試調(diào)試，根據(jù)被測產(chǎn)品的合格率分析被測產(chǎn)品的最終測試電流值；

(4)采用被測產(chǎn)品的所述最終測試電流值對(duì)被測產(chǎn)品進(jìn)行所述反向擊穿電壓測試。

優(yōu)選的，被測產(chǎn)品的所述最終測試電流值為常規(guī)反向擊穿電壓測試的電流的50-200倍。

本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明提供的技術(shù)方案在不影響半導(dǎo)體器件產(chǎn)品正常電性能的情況下，通過增加一項(xiàng)反向擊穿電壓的測試項(xiàng)目，可以檢測出采用常規(guī)測試方法不能測試出來的一些半導(dǎo)體芯片缺陷產(chǎn)品，該缺陷產(chǎn)品包括芯片2正表面劃傷、芯片2邊緣缺損、金屬引線3焊接焊料外溢到芯片2邊緣和金屬引線3中部到框架底板1的距離過低，從而降低批量生產(chǎn)產(chǎn)品使用過程中早期失效的比例，提高產(chǎn)品整體可靠性水平，并給工藝產(chǎn)線質(zhì)量控制提供預(yù)警信息。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于功率半導(dǎo)體芯片的檢測方法的流程圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的功率半導(dǎo)體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。

其中，1-框架底板，2-芯片，3-金屬引線，4-框架引腳，5-框架引腳金屬引線鍵合區(qū)，6-金屬引線焊接點(diǎn)。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明。

圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于功率半導(dǎo)體芯片的檢測方法的流程圖。

一種用于功率半導(dǎo)體芯片的檢測方法，包括如下步驟：

在步驟S10中，將被測產(chǎn)品在圖示儀上進(jìn)行反向擊穿電壓測試，測出被測產(chǎn)品能夠承受的極限電流；

在步驟S11中，在被測產(chǎn)品能夠承受的極限電流數(shù)值范圍內(nèi)選擇測試電流；