[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810057612.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108933121B | 公開(公告)日: | 2020-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐紹恩;卓暉雄;呂世文 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/66 | 分類號(hào): | H01L23/66;H01Q1/22 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣高雄市楠梓*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 封裝 裝置 | ||
1.一種天線半導(dǎo)體封裝裝置,其包括:
第一導(dǎo)電層;
第二導(dǎo)電層,其在所述第一導(dǎo)電層上方且與所述第一導(dǎo)電層分隔開;
第一導(dǎo)電元件,其將所述第一導(dǎo)電層連接到所述第二導(dǎo)電層;及
第一引向元件,其鄰近于所述第一導(dǎo)電層且通過第一間隙與所述第一導(dǎo)電層分隔開,
其中所述第一導(dǎo)電元件、所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層界定波導(dǎo)空腔和輻射開口,且
其中所述第一引向元件在所述波導(dǎo)空腔之外。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線半導(dǎo)體封裝裝置,其進(jìn)一步包括第二引向元件,所述第二引向元件鄰近于所述第二導(dǎo)電層且通過第二間隙與所述第二導(dǎo)電層分隔開。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的天線半導(dǎo)體封裝裝置,其進(jìn)一步包括:
多個(gè)第一引向元件,其鄰近于所述第一引向元件且與所述第一引向元件分隔開,其中所述多個(gè)第一引向元件中的任何兩個(gè)彼此分離;及
多個(gè)第二引向元件,其鄰近于所述第二引向元件安置且與所述第二引向元件分隔開,其中所述多個(gè)第二引向元件中的任何兩個(gè)彼此分離。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的天線半導(dǎo)體封裝裝置,其中所述第一引向元件與所述多個(gè)第一引向元件中的任一個(gè)大體上平行,且所述第二引向元件與所述多個(gè)第二引向元件中的任一個(gè)大體上平行。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的天線半導(dǎo)體封裝裝置,其中所述第二引向元件對(duì)應(yīng)于所述第一引向元件定位。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的天線半導(dǎo)體封裝裝置,其進(jìn)一步包括第二導(dǎo)電元件,所述第二導(dǎo)電元件將所述第二引向元件的邊緣電連接到所述第一引向元件的邊緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的天線半導(dǎo)體封裝裝置,其中所述輻射開口的寬度與所述第二引向元件的寬度大體上相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的天線半導(dǎo)體封裝裝置,其進(jìn)一步包括:
饋電層,其安置在所述第二導(dǎo)電層上方且與所述第二導(dǎo)電層分隔開;及
第三導(dǎo)電元件,其連接所述饋電層且從所述饋電層延伸到所述波導(dǎo)空腔且穿過所述第二導(dǎo)電層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的天線半導(dǎo)體封裝裝置,其中所述第三導(dǎo)電元件穿過由所述第二導(dǎo)電層界定的開口。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的天線半導(dǎo)體封裝裝置,其進(jìn)一步包括安置在所述饋電層上方且與所述饋電層分隔開的第三導(dǎo)電層,其中所述第三導(dǎo)電層通過第四導(dǎo)電元件電連接到所述第二導(dǎo)電層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的天線半導(dǎo)體封裝裝置,其進(jìn)一步包括襯底,其中:
所述第一導(dǎo)電層位于所述襯底的第一層,
所述第二導(dǎo)電層位于所述襯底的第二層,
所述饋電層位于所述襯底的第三層,且
所述第三導(dǎo)電層位于所述襯底的頂部表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的天線半導(dǎo)體封裝裝置,其中所述第一引向元件位于所述襯底的所述第一層,且所述第二引向元件位于所述襯底的所述第二層。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的天線半導(dǎo)體封裝裝置,其中在所述襯底的所述頂部表面上存在相對(duì)于所述第二引向元件的空閑區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的天線半導(dǎo)體封裝裝置,其中所述襯底具有第一側(cè)表面及大體上垂直于所述第一側(cè)表面的第二側(cè)表面,且所述第一引向元件與所述第二側(cè)表面之間存在距離。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的天線半導(dǎo)體封裝裝置,其進(jìn)一步包括安置在所述襯底的所述頂部表面上的電子組件,其中所述襯底包括在所述襯底內(nèi)的電連接件,且所述電子組件通過在所述襯底內(nèi)的所述電連接件電連接到所述饋電層。
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