[發明專利]一種ZnO-Ga2 有效
| 申請號： | 201810057491.1 | 申請日： | 2018-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN108265275B | 公開（公告）日： | 2020-02-18 |
| 發明（設計）人： | 徐春祥;游道通;張煒;趙杰;石增良 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/24;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211189 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 zno ga base sub | ||
1.一種ZnO-Ga2O3核殼納米線的制備方法，其特征在于：該核殼結構的納米線是由ZnO核層和Ga2O3殼層構成，制備步驟如下：
1)ZnO納米線陣列的制備：將ZnO粉末和碳粉末混合研磨直至無顆粒感后填入容器內，之后將該容器置于一端開口的石英管的封閉端，之后將清洗干凈的生長基底放置于石英管內部的管口位置處；然后將該石英管置于管式爐中，封閉管式爐后抽真空，并通入氬氣和氧氣，反應結束后在生長基底上生長有ZnO納米線陣列；
2)ZnO-Ga2O3核殼納米線的制備：將步驟1)得到ZnO納米線陣列放入磁控濺射儀中，在ZnO納米線表面濺射一層Ga2O3鞘層薄膜，得到ZnO-Ga2O3核殼納米線；
其中：步驟1)所述的ZnO粉末和碳粉末的純度均為99.97wt％～99.99wt％；所述的將ZnO粉末和碳粉末混合研磨，ZnO粉末和碳粉末的質量比為1：1～1：3；
所述的反應結束后在生長基底上生長有ZnO納米線陣列是指在溫度為1000～1200℃條件下，反應10～60min后在生長基底上生長有ZnO納米線陣列。
2.如權利要求1所述的一種ZnO-Ga2O3核殼納米線的制備方法，其特征在于：步驟1)所述的將ZnO粉末和碳粉末混合研磨直至無顆粒感的研磨時間為15～25min。
3.如權利要求1所述的一種ZnO-Ga2O3核殼納米線的制備方法，其特征在于：步驟1)所述的容器為陶瓷舟。
4.如權利要求1所述的一種ZnO-Ga2O3核殼納米線的制備方法，其特征在于：步驟1)所述的清洗干凈生長基底是指依次經過丙酮、無水乙醇、去離子水超聲清洗并用氮氣吹干的生長基底，其中所述的生長基底為藍寶石襯底、硅襯底或者二氧化硅襯底。
5.如權利要求1所述的一種ZnO-Ga2O3核殼納米線的制備方法，其特征在于：所述的將清洗干凈的生長基底放置于石英管內部的管口位置處是指放置于距離石英管管口3～8cm處的石英管內。
6.如權利要求1所述的一種ZnO-Ga2O3核殼納米線的制備方法，其特征在于：所述的封閉管式爐后抽真空，并通入氬氣和氧氣，所述的氬氣流量為130～180sccm、氧氣流量為13～18sccm。
7.如權利要求1所述的一種ZnO-Ga2O3核殼納米線的制備方法，其特征在于：所述的將步驟1)得到ZnO納米線陣列放入磁控濺射儀中，在ZnO納米線表面濺射一層Ga2O3鞘層薄膜的濺射條件為：濺射靶材Ga2O3靶材，腔體氣壓為1～4Pa，氬氣流量為30～60sccm，氧氣流量為5～30sccm，濺射功率為80～150W，濺射時間為5～60min。
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