[發(fā)明專利]一種ZnO-Ga2 有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810057491.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108265275B | 公開(公告)日: | 2020-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐春祥;游道通;張煒;趙杰;石增良 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東南大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/24;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 211189 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 zno ga base sub | ||
本發(fā)明公開了一種ZnO?Ga2O3核殼納米線的制備方法,該核殼納米線是由ZnO核層和Ga2O3殼層構(gòu)成,制備步驟如下:1)將ZnO粉末和碳粉末混合研磨,填入容器內(nèi)并置于一端開口的石英管的封閉端,將清洗干凈的生長(zhǎng)基底放置于石英管管口位置處;然后將該石英管置于管式爐中,封閉管式爐后抽真空并通入氬氣和氧氣,反應(yīng)結(jié)束后在生長(zhǎng)基底上生長(zhǎng)有ZnO納米線陣列;2)將步驟1)得到ZnO納米線陣列放入磁控濺射儀中,在ZnO納米線表面濺射一層Ga2O3鞘層薄膜,得到ZnO?Ga2O3核殼納米線;本發(fā)明通過簡(jiǎn)單的氣相傳輸法和磁控濺射方法,在ZnO納米線上生長(zhǎng)不同厚度、尺寸均一、分布均勻的Ga2O3殼層薄膜。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種ZnO-Ga2O3核殼結(jié)構(gòu)納米線的制備方法,屬于納米線的制備方法領(lǐng)域。
背景技術(shù)
在納米結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中,半導(dǎo)體納米異質(zhì)結(jié),由于其含有不同的成分,在紫外探測(cè)、發(fā)光器件、催化和氣敏等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用。材料的性能受其成分、形貌和尺寸的影響,因此生長(zhǎng)不同成分、形貌和尺寸的納米異質(zhì)結(jié)引起了人們極大的興趣。作為寬禁帶半導(dǎo)體材料,ZnO和Ga2O3在紫外探測(cè)、發(fā)光器件、催化和氣敏等領(lǐng)域都展現(xiàn)了優(yōu)異的性能。與單一的成分相比,ZnO-Ga2O3復(fù)合材料納米異質(zhì)結(jié)在紫外探測(cè)、發(fā)光器件、催化和氣敏顯示出更優(yōu)異的性能,兩者之間協(xié)同效應(yīng)大大提高了材料的性能。
現(xiàn)在采用的ZnO-Ga2O3核殼復(fù)合材料制備方法一般包括:表面反應(yīng)法、種子沉積法、微乳液法、水熱法、自組裝法、溶膠凝膠法、電沉積法、模板法、置換法、超聲化學(xué)法等。對(duì)于ZnO-Ga2O3的核殼結(jié)構(gòu)材料而言,要使殼層材料達(dá)到均勻、致密的包覆效果,一般需要采用溶膠凝膠法、模板法等手段,但是溶液制備環(huán)境復(fù)雜、工藝穩(wěn)定性差,難以進(jìn)行大面積生長(zhǎng)和工業(yè)化推廣應(yīng)用,并且將ZnO基片多次或者長(zhǎng)時(shí)間浸泡在水溶液中,這一過程將會(huì)引入更多的ZnO表面缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題:本發(fā)明的目的是提供一種ZnO-Ga2O3核殼結(jié)構(gòu)納米線的制備方法,該方法操作簡(jiǎn)易、可重復(fù)強(qiáng),可生長(zhǎng)不同厚度、尺寸均一、分布均勻的Ga2O3殼層薄膜。
技術(shù)方案:本發(fā)明提供了一種ZnO-Ga2O3核殼納米線的制備方法,該核殼結(jié)構(gòu)的納米線是由ZnO核層和Ga2O3殼層構(gòu)成,制備步驟如下:
1)ZnO納米線陣列的制備:將ZnO粉末和碳粉末混合研磨直至無顆粒感后填入容器內(nèi),之后將該容器置于一端開口的石英管的封閉端,之后將清洗干凈的生長(zhǎng)基底放置于石英管內(nèi)部的管口位置處;然后將該石英管置于管式爐中,封閉管式爐后抽真空,并通入氬氣和氧氣,反應(yīng)結(jié)束后在生長(zhǎng)基底上生長(zhǎng)有ZnO納米線陣列;
2)ZnO-Ga2O3核殼納米線的制備:將步驟1)得到ZnO納米線陣列放入磁控濺射儀中,在ZnO納米線表面濺射一層Ga2O3鞘層薄膜,得到ZnO-Ga2O3核殼納米線;
其中:
步驟1)所述的ZnO粉末和碳粉末的純度均為99.97wt%~99.99wt%;所述的將ZnO粉末和碳粉末混合研磨,ZnO粉末和碳粉末的質(zhì)量比為1:1~1:3。
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C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
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