[發明專利]鎖緊圈及半導體的制作方法

在審

• 申請號: 201810056768.9
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN108231574A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 姚力軍;潘杰;王學澤;楊其垚
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/68
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 金相允

1.一種鎖緊圈，其特征在于，應用于半導體，所述鎖緊圈設置有溝槽，當所述半導體處于PVD鍍膜生產過程中，生產所述半導體的機臺平臺上安裝有晶圓，所述晶圓上設置有所述鎖緊圈，所述溝槽用于增加所述鎖緊圈與所述晶圓之間的接觸空間，所述鎖緊圈用于保護所述機臺平臺及壓緊所述晶圓，當濺射靶材濺射過程中，一部分原子掉落并沉積于所述溝槽內，以提高所述鎖緊圈的使用壽命，降低制造成本。

2.根據權利要求1所述的鎖緊圈，其特征在于，所述溝槽為環形溝槽，所述鎖緊圈包括圓環柱形本體，所述圓環柱形本體的內壁延所述圓環柱形本體的圓周方向上設置有所述環形溝槽。

3.根據權利要求2所述的鎖緊圈，其特征在于，所述環形溝槽的外圓與內圓之間的寬度為0.1cm。

4.根據權利要求2所述的鎖緊圈，其特征在于，所述圓環柱形本體從內向外依次設置有第一環形凹槽、第二環形凹槽和第三環形凹槽，所述環形溝槽的外圓直徑小于所述第一環形凹槽的外圓直徑，所述第一環形凹槽的外圓直徑小于所述第二環形凹槽的外圓直徑，所述第二環形凹槽的外圓直徑小于所述第三環形凹槽的外圓直徑。

5.根據權利要求4所述的鎖緊圈，其特征在于，所述環形溝槽的外圓與內圓之間的寬度小于所述第一環形凹槽的外圓與內圓之間的寬度，所述第一環形凹槽的外圓與內圓之間的寬度小于所述第二環形凹槽的外圓與內圓之間的寬度，所述第二環形凹槽的外圓與內圓之間的寬度小于所述第三環形凹槽的外圓與內圓之間的寬度。

6.根據權利要求4所述的鎖緊圈，其特征在于，所述環形溝槽的深度小于所述第一環形凹槽的深度。

7.根據權利要求4所述的鎖緊圈，其特征在于，所述第一環形凹槽的深度、所述第二環形凹槽的深度與所述第三環形凹槽的深度均相等。

8.根據權利要求2所述的鎖緊圈，其特征在于，所述環形溝槽延所述圓環柱形本體的圓周方向延伸有至少一個延伸部。

9.根據權利要求8所述的鎖緊圈，其特征在于，所述延伸部為梯形。

10.一種半導體的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

當所述半導體處于PVD鍍膜生產過程中，在生產所述半導體的機臺平臺上安裝晶圓；

在所述晶圓上設置鎖緊圈，所述鎖緊圈用于保護所述機臺平臺及壓緊所述晶圓，所述鎖緊圈設置有溝槽，所述溝槽用于增加所述鎖緊圈與所述晶圓之間的接觸空間，當濺射靶材濺射過程中，一部分原子掉落并沉積于所述溝槽內，以便于制作完成所述半導體。