[發明專利]鎖緊圈及半導體的制作方法

在審

• 申請號: 201810056768.9
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN108231574A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 姚力軍;潘杰;王學澤;楊其垚
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/68
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 金相允

本發明實施例提供了一種鎖緊圈及半導體的制作方法，涉及半導體技術領域。所述鎖緊圈應用于半導體，所述鎖緊圈設置有溝槽。當所述半導體處于PVD鍍膜生產過程中，生產所述半導體的機臺平臺上安裝有晶圓。所述晶圓上設置有所述鎖緊圈。所述溝槽用于增加所述鎖緊圈與所述晶圓之間的接觸空間。所述鎖緊圈用于保護所述機臺平臺及壓緊所述晶圓，當濺射靶材濺射過程中，一部分原子掉落并沉積于所述溝槽內，通過設置溝槽的方式，增加鎖緊圈與晶圓之間的接觸空間，以使濺射靶材濺射過程中的原子沉積于所述溝槽內，實現了提高所述鎖緊圈的使用壽命，降低制造成本。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種鎖緊圈及半導體的制作方法。

背景技術

物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程。物理氣相沉積的作用是可以使某些有特殊性能(強度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等)的微粒噴涂在性能較低的母體上，使得母體具有更好的性能。在半導體PVD鍍膜生產過程中，濺射靶材濺射原子掉落在機臺平臺上，為了保護機臺平臺，會在晶圓上安裝一枚鎖緊圈，并將晶圓上表面壓緊。

發明內容

本發明的目的在于提供一種鎖緊圈及半導體的制作方法。為了實現上述目的，本發明采取的技術方案如下：

第一方面，本發明實施例提供了一種鎖緊圈，應用于半導體，所述鎖緊圈設置有溝槽。當所述半導體處于PVD鍍膜生產過程中，生產所述半導體的機臺平臺上安裝有晶圓。所述晶圓上設置有所述鎖緊圈。所述溝槽用于增加所述鎖緊圈與所述晶圓之間的接觸空間。所述鎖緊圈用于保護所述機臺平臺及壓緊所述晶圓，當濺射靶材濺射過程中，一部分原子掉落并沉積于所述溝槽內，以提高所述鎖緊圈的使用壽命，降低制造成本。

進一步地，上述溝槽為環形溝槽。所述鎖緊圈包括圓環柱形本體。所述圓環柱形本體的內壁延所述圓環柱形本體的圓周方向上設置有所述環形溝槽。

進一步地，上述環形溝槽的外圓與內圓之間的寬度為0.1cm。

進一步地，上述圓環柱形本體從內向外依次設置有第一環形凹槽、第二環形凹槽和第三環形凹槽。所述環形溝槽的外圓直徑小于所述第一環形凹槽的外圓直徑。所述第一環形凹槽的外圓直徑小于所述第二環形凹槽的外圓直徑。所述第二環形凹槽的外圓直徑小于所述第三環形凹槽的外圓直徑。

進一步地，上述環形溝槽的外圓與內圓之間的寬度小于所述第一環形凹槽的外圓與內圓之間的寬度。所述第一環形凹槽的外圓與內圓之間的寬度小于所述第二環形凹槽的外圓與內圓之間的寬度。所述第二環形凹槽的外圓與內圓之間的寬度小于所述第三環形凹槽的外圓與內圓之間的寬度。

進一步地，上述環形溝槽的深度小于所述第一環形凹槽的深度。

進一步地，上述第一環形凹槽的深度、所述第二環形凹槽的深度與所述第三環形凹槽的深度均相等。

進一步地，上述環形溝槽延所述圓環柱形本體的圓周方向延伸有至少一個延伸部。

進一步地，上述延伸部為梯形。

第二方面，本發明實施例提供了一種半導體的制作方法，所述方法包括：當所述半導體處于PVD鍍膜生產過程中，在生產所述半導體的機臺平臺上安裝晶圓；在所述晶圓上設置鎖緊圈，所述鎖緊圈用于保護所述機臺平臺及壓緊所述晶圓，所述鎖緊圈設置有溝槽，所述溝槽用于增加所述鎖緊圈與所述晶圓之間的接觸空間，當濺射靶材濺射過程中，一部分原子掉落并沉積于所述溝槽內，以便于制作完成所述半導體。