[發明專利]柔性AMOLED基板及其制作方法有效
| 申請號: | 201810055710.2 | 申請日: | 2018-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN108054192B | 公開(公告)日: | 2019-12-24 |
| 發明(設計)人: | 喻蕾;李松杉 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/00 |
| 代理公司: | 44265 深圳市德力知識產權代理事務所 | 代理人: | 林才桂;聞盼盼 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 amoled 及其 制作方法 | ||
本發明提供一種柔性AMOLED基板及其制作方法。本發明的柔性AMOLED基板的制作方法包括:形成柔性襯底,所述柔性襯底包括顯示區及位于顯示區外圍的彎折區;在所述柔性襯底上形成緩沖層,去除緩沖層上位于彎折區的部分,保留緩沖層上位于顯示區的部分,使得柔性AMOLED基板的彎折區中的無機絕緣層的厚度減小,提升柔性AMOLED基板的彎折區的耐彎折性,從而提高生產良率。本發明的柔性AMOLED基板采用上述方法制得,所述柔性AMOLED基板的彎折區中的無機絕緣層的厚度較小,柔性AMOLED基板的彎折區的耐彎折性較好,生產良率高。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種柔性AMOLED基板及其制作方法。
背景技術
平面顯示器件具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點,得到了廣泛的應用。現有的平面顯示器件主要包括液晶顯示器件(Liquid Crystal Display,LCD)及有機電致發光顯示器件(Organic Light Emitting Display,OLED)。
OLED顯示器件以其自發光、全固態、高對比度等優點,成為近年來最具潛力的新型顯示器件。而OLED顯示器件最大的特點在于可以實現柔性顯示,采用柔性襯底制成重量輕、可彎曲、便于攜帶的柔性顯示器件是OLED顯示器件的重要發展方向。
OLED按照驅動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)兩大類,即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中,AMOLED具有呈陣列式排布的像素,屬于主動顯示類型,發光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。
圖1為現有的柔性AMOLED基板的結構示意圖,如圖1所示,所述柔性AMOLED基板包括柔性襯底110,所述柔性襯底110包括顯示區及位于顯示區外圍的彎折(bending)區,所述柔性襯底110的顯示區與彎折區上均設有緩沖層120,所述柔性襯底110的顯示區上還設有位于緩沖層120上的有源層200、位于有源層200與緩沖層120上的柵極絕緣層400、位于柵極絕緣層400上的柵極410、位于柵極410與柵極絕緣層400上的層間介電層500、位于層間介電層500上的源極610與漏極620、位于源極610、漏極620、層間介電層500上的平坦層700、位于平坦層700上的陽極850、位于平坦層700、陽極850上的像素定義層900、位于陽極850上的OLED發光層950;所述柔性襯底110的彎折區上還設有位于緩沖層120上的柵極絕緣層400、位于柵極絕緣層400上的層間介電層500、位于層間介電層500上的平坦層700、位于平坦層700上的像素定義層900;由于所述柔性襯底110的彎折區上設有緩沖層120、柵極絕緣層400、層間介電層500三個無機絕緣層,因此無機絕緣層的厚度較大,使得所述柔性AMOLED基板的彎折區的耐彎折性較差,容易斷裂,嚴重影響柔性AMOLED基板的生產良率。
發明內容
本發明的目的在于提供一種柔性AMOLED基板的制作方法,能夠提升柔性AMOLED基板的彎折區的耐彎折性,從而提高生產良率。
本發明的目的還在于提供一種柔性AMOLED基板,彎折區的耐彎折性較好,生產良率高。
為實現上述目的,本發明提供一種柔性AMOLED基板的制作方法,包括:形成柔性襯底,所述柔性襯底包括顯示區及位于顯示區外圍的彎折區;在所述柔性襯底上形成緩沖層,去除緩沖層上位于彎折區的部分,保留緩沖層上位于顯示區的部分。
所述柔性AMOLED基板的制作方法具體包括如下步驟:
步驟1、提供剛性載板,在所述剛性載板上形成柔性襯底,所述柔性襯底包括顯示區及位于顯示區外圍的彎折區;
在所述柔性襯底上形成緩沖層,在所述緩沖層上形成多晶硅層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





