[發(fā)明專利]柔性AMOLED基板及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810055710.2
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN108054192B
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 喻蕾;李松杉
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56;H01L51/00
• 代理公司: 44265 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 林才桂;聞盼盼

1.一種柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，包括：形成柔性襯底(11)，所述柔性襯底(11)包括顯示區(qū)及位于顯示區(qū)外圍的彎折區(qū)；在所述柔性襯底(11)上形成緩沖層(12)，去除緩沖層(12)上位于彎折區(qū)的部分，保留緩沖層(12)上位于顯示區(qū)的部分；

包括如下步驟：

步驟1、提供剛性載板(10)，在所述剛性載板(10)上形成柔性襯底(11)，所述柔性襯底(11)包括顯示區(qū)及位于顯示區(qū)外圍的彎折區(qū)；

在所述柔性襯底(11)上形成緩沖層(12)，在所述緩沖層(12)上形成多晶硅層(13)；

步驟2、采用一道半色調(diào)光罩制程同時對多晶硅層(13)與緩沖層(12)進行圖形化處理，得到有源層(20)，并且去除緩沖層(12)上位于彎折區(qū)的部分，保留緩沖層(12)上位于顯示區(qū)的部分；

所述步驟2包括：

步驟21、在所述多晶硅層(13)上形成光阻層(15)；

提供半色調(diào)光罩(30)，所述半色調(diào)光罩(30)上設(shè)有第一區(qū)域(31)、第二區(qū)域(32)及除第一區(qū)域(31)與第二區(qū)域(32)以外的第三區(qū)域(33)；所述第一區(qū)域(31)對應(yīng)于有源層預(yù)設(shè)位置，所述第二區(qū)域(32)對應(yīng)于柔性襯底(11)的彎折區(qū)；

步驟22、利用所述半色調(diào)光罩(30)對所述光阻層(15)進行曝光、顯影，使所述光阻層(15)上對應(yīng)所述半色調(diào)光罩(30)的第二區(qū)域(32)的部分完全顯影掉，所述光阻層(15)上對應(yīng)所述半色調(diào)光罩(30)的第三區(qū)域(33)的部分的厚度降低；

步驟23、以所述光阻層(15)為蝕刻阻擋層，對所述多晶硅層(13)與緩沖層(12)進行蝕刻，去除所述多晶硅層(13)與緩沖層(12)對應(yīng)于柔性襯底(11)的彎折區(qū)的部分；

步驟24、對所述光阻層(15)進行灰化處理，使所述光阻層(15)上對應(yīng)所述半色調(diào)光罩(30)的第三區(qū)域(33)的部分完全去除掉，所述光阻層(15)上對應(yīng)所述半色調(diào)光罩(30)的第一區(qū)域(31)的部分厚度降低；

步驟25、以所述光阻層(15)為蝕刻阻擋層，對所述多晶硅層(13)進行蝕刻，得到有源層(20)；

步驟26、將剩余的光阻層(15)從有源層(20)上剝離掉。

2.如權(quán)利要求1所述的柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述步驟21中，所述光阻層(15)的材料為正性光阻，所述第二區(qū)域(32)的透光率大于所述第三區(qū)域(33)的透光率，所述第三區(qū)域(33)的透光率大于所述第一區(qū)域(31)的透光率。

3.如權(quán)利要求1所述的柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述步驟21中，所述光阻層(15)的材料為負性光阻，所述第一區(qū)域(31)的透光率大于所述第三區(qū)域(33)的透光率，所述第三區(qū)域(33)的透光率大于所述第二區(qū)域(32)的透光率。