[發明專利]測試圖形的選取方法和裝置、構建光刻模型的方法和裝置

有效

• 申請號: 201810054861.6
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN108153995B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 趙利俊;韋亞一;董立松;張利斌
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G06F30/39
• 分類號: G06F30/39;G06F30/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 趙秀芹;王寶筠

本申請實施例公開了一種測試圖形的選取方法和裝置，該選取方法包括根據設計規則、實際電路版圖和/或隨機版圖設計初始測試圖形；根據簡化模型對初始測試圖形進行光學仿真，得到初始測試圖形在預設參數取值范圍內的分布；根據初始測試圖形在預設參數取值范圍內的分布從初始測試圖形中選取關鍵測試圖形，關鍵測試圖形用于構建光刻模型中的參數校準。利用該選取方法選出的測試圖形用于構建光刻模型，能夠提高光刻模型的建模效率以及光刻模型的準確度。此外，本申請還尤其涉及一種構建光刻模型的方法和裝置。

技術領域

本申請涉及集成電路制造技術領域，尤其涉及一種測試圖形的選取方法和裝置，此外，本申請還尤其涉及一種構建光刻模型的方法和裝置。

背景技術

光刻模型是光學仿真的基礎，主要包括光學參數、光刻膠參數等等，其反映了光刻工藝中光學傳輸、光化學反應和物理反應的過程。

在光刻模型的構建過程中，選取的測試圖形對建模效率以及最終構建得到的模型準確度有很大影響。而且，隨著集成電路集成度的不斷提高，工藝節點持續推進，特征尺寸也越來越小，測試圖形變得越來越復雜。如此，在構建光刻模型的過程中，測試圖形的選取變得尤為重要。

從設計的角度來說，測試圖形作為反映實際電路版圖的圖形，因此，選取的測試圖形需要具備較高的圖形覆蓋率。所謂圖形覆蓋率為測試圖形分布與實際電路圖形分布的比值。

從建模的角度來說，較多的測試圖形可以提高模型的準確度，從這一角度來說，在光刻模型的構建過程中，需要選取盡可能多的測試圖形，然而，過多的測試圖形會使計算時間大大增加，降低建模效率。

此外，較為復雜的測試圖形會使得模型構建難以收斂或者降低準確度。

發明內容

有鑒于此，本申請的第一方面提供了一種測試圖形的選取方法和裝置，以提高光刻模型的建模效率以及光刻模型的準確度。

基于本申請的第一方面，本申請的第二方面提供了一種構建光刻模型的方法和裝置。

為了達到上述發明目的，本申請采用了如下技術方案：

一種測試圖形的選取方法，包括：

根據設計規則、實際電路版圖和/或隨機版圖設計初始測試圖形；

根據簡化模型對所述初始測試圖形進行光學仿真，得到所述初始測試圖形在預設參數取值范圍內的分布；

根據所述初始測試圖形在預設參數取值范圍內的分布從所述初始測試圖形中選取關鍵測試圖形，所述關鍵測試圖形用于構建光刻模型中的參數校準。

可選地，所述根據所述初始測試圖形在預設參數取值范圍內的分布從所述初始測試圖形中選取關鍵測試圖形，具體包括：

將所述初始測試圖形在預設參數取值范圍內的分布所覆蓋的取值范圍等分為若干個區域；

從每個區域內選取至少一個分布在該區域內的初始測試圖形，并將從每個區域中選取出的初始測試圖形作為對應區域內的關鍵測試圖形。

可選地，所述從每個區域內選取至少一個分布在該區域內的初始測試圖形，具體包括：

從每個區域內選取最靠近該區域中心位置的初始測試圖形。

可選地，所述預設參數為多個，所述初始測試圖形在預設參數取值范圍內的分布為多維空間分布。

一種構建光刻模型的方法，所述光刻模型包括光學參數和光刻膠參數，所述方法包括：

根據上述任一項所述的測試圖形的選取方法選取關鍵測試圖形；

利用所述關鍵測試圖形校準待構建光刻模型中的光學參數，得到光學參數校準后的第一準光刻模型；