[發(fā)明專利]測試圖形的選取方法和裝置、構(gòu)建光刻模型的方法和裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810054861.6
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN108153995B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙利俊;韋亞一;董立松;張利斌
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: G06F30/39
• 分類號: G06F30/39;G06F30/20
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 趙秀芹;王寶筠

1.一種測試圖形的選取方法，其特征在于，包括：

根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則、實(shí)際電路版圖和/或隨機(jī)版圖設(shè)計(jì)初始測試圖形；

根據(jù)簡化模型對所述初始測試圖形進(jìn)行光學(xué)仿真，得到所述初始測試圖形在預(yù)設(shè)參數(shù)取值范圍內(nèi)的分布；

將所述初始測試圖形在預(yù)設(shè)參數(shù)取值范圍內(nèi)的分布所覆蓋的取值范圍等分為若干個(gè)區(qū)域；

從每個(gè)區(qū)域內(nèi)選取至少一個(gè)分布在該區(qū)域內(nèi)的初始測試圖形，并將從每個(gè)區(qū)域中選取出的初始測試圖形作為對應(yīng)區(qū)域內(nèi)的關(guān)鍵測試圖形；所述關(guān)鍵測試圖形用于構(gòu)建光刻模型中的參數(shù)校準(zhǔn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述從每個(gè)區(qū)域內(nèi)選取至少一個(gè)分布在該區(qū)域內(nèi)的初始測試圖形，具體包括：

從每個(gè)區(qū)域內(nèi)選取最靠近該區(qū)域中心位置的初始測試圖形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)參數(shù)為多個(gè)，所述初始測試圖形在預(yù)設(shè)參數(shù)取值范圍內(nèi)的分布為多維空間分布。

4.一種構(gòu)建光刻模型的方法，其特征在于，所述光刻模型包括光學(xué)參數(shù)和光刻膠參數(shù)，所述方法包括：

根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法選取關(guān)鍵測試圖形；

利用所述關(guān)鍵測試圖形校準(zhǔn)待構(gòu)建光刻模型中的光學(xué)參數(shù)，得到光學(xué)參數(shù)校準(zhǔn)后的第一準(zhǔn)光刻模型；

利用所述關(guān)鍵測試圖形校準(zhǔn)所述第一準(zhǔn)光刻模型中的光刻膠參數(shù)，得到光學(xué)參數(shù)和光刻膠參數(shù)校準(zhǔn)后的第二準(zhǔn)光刻模型；

利用所述第二準(zhǔn)光刻模型對所述初始測試圖形進(jìn)行光學(xué)仿真，得到光學(xué)仿真結(jié)果；

判斷所述光學(xué)仿真結(jié)果與實(shí)際光刻實(shí)驗(yàn)結(jié)果之間的誤差分布是否達(dá)到預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)，如果是，將所述第二準(zhǔn)光刻模型作為最終構(gòu)建的光刻模型。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述光刻膠參數(shù)包括多個(gè)光刻膠參數(shù)，所述利用所述關(guān)鍵測試圖形校準(zhǔn)所述第一準(zhǔn)光刻模型中的光刻膠參數(shù)，得到光學(xué)參數(shù)和光刻膠參數(shù)校準(zhǔn)后的第二準(zhǔn)光刻模型，具體包括：

將各個(gè)光刻膠參數(shù)按照預(yù)設(shè)順序依次添加到第一準(zhǔn)光刻膠模型中，并依次利用所述關(guān)鍵測試圖形校準(zhǔn)第一準(zhǔn)光刻模型中的光刻膠參數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述多個(gè)光刻膠參數(shù)包括物理參數(shù)、半經(jīng)驗(yàn)參數(shù)和數(shù)學(xué)參數(shù)，所述預(yù)設(shè)順序?yàn)椋何锢韰?shù)--半經(jīng)驗(yàn)參數(shù)--數(shù)學(xué)參數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述判斷所述光學(xué)仿真結(jié)果與實(shí)際光刻實(shí)驗(yàn)結(jié)果之間的誤差分布是否達(dá)到預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)，還包括：

如果否，分析所述誤差分布未達(dá)到預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)的原因，并根據(jù)原因返回校準(zhǔn)光學(xué)參數(shù)的步驟或者返回校準(zhǔn)光刻膠參數(shù)的步驟。

8.一種測試圖形的選取裝置，其特征在于，包括：

設(shè)計(jì)單元，用于根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則、實(shí)際電路版圖和/或隨機(jī)版圖設(shè)計(jì)初始測試圖形；

光學(xué)仿真單元，用于根據(jù)簡化模型對所述初始測試圖形進(jìn)行光學(xué)仿真，得到所述初始測試圖形在預(yù)設(shè)參數(shù)取值范圍內(nèi)的分布；

選取單元，用于將所述初始測試圖形在預(yù)設(shè)參數(shù)取值范圍內(nèi)的分布所覆蓋的取值范圍等分為若干個(gè)區(qū)域；從每個(gè)區(qū)域內(nèi)選取至少一個(gè)分布在該區(qū)域內(nèi)的初始測試圖形，并將從每個(gè)區(qū)域中選取出的初始測試圖形作為對應(yīng)區(qū)域內(nèi)的關(guān)鍵測試圖形。

9.一種構(gòu)建光刻模型的裝置，其特征在于，所述光刻模型包括光學(xué)參數(shù)和光刻膠參數(shù)，所述裝置包括：

選取模塊，用于根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法選取關(guān)鍵測試圖形；

光學(xué)參數(shù)校準(zhǔn)模塊，用于利用所述關(guān)鍵測試圖形校準(zhǔn)待構(gòu)建光刻模型中的光學(xué)參數(shù)，得到光學(xué)參數(shù)校準(zhǔn)后的第一準(zhǔn)光刻模型；

光刻膠參數(shù)校準(zhǔn)模塊，用于利用所述關(guān)鍵測試圖形校準(zhǔn)所述第一準(zhǔn)光刻模型中的光刻膠參數(shù)，得到光學(xué)參數(shù)和光刻膠參數(shù)校準(zhǔn)后的第二準(zhǔn)光刻模型；

光學(xué)仿真模塊，用于利用所述第二準(zhǔn)光刻模型對所述初始測試圖形進(jìn)行光學(xué)仿真，得到光學(xué)仿真結(jié)果；

判斷模塊，用于判斷所述光學(xué)仿真結(jié)果與實(shí)際光刻實(shí)驗(yàn)結(jié)果之間的誤差分布是否達(dá)到預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)，如果是，將所述第二準(zhǔn)光刻模型作為最終構(gòu)建的光刻模型。